基于氮化硅光子晶体的光分路器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120882537.0

申请日：

2021-04-27

公开(公告)号：

CN215575764U

公开(公告)日：

2022-01-18

发明(设计)人：

佘小娟廖涵赵瑛璇仇超甘甫烷

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

G02B6125

IPC分类号：

G02B6124 G02B6136

代理机构：

上海泰博知识产权代理有限公司 31451

代理人：

钱文斌

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-18	授权	授权

共 50 条

[1]

基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法 [P].

佘小娟 ;

廖涵 ;

赵瑛璇 ;

仇超 ;

甘甫烷 .

中国专利 :CN113359233B ,2025-02-18

[2]

基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法 [P].

佘小娟 ;

廖涵 ;

赵瑛璇 ;

仇超 ;

甘甫烷 .

中国专利 :CN113359233A ,2021-09-07

[3]

基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法 [P].

刘启发 ;

周扬 .

中国专利 :CN114094439A ,2022-02-25

[4]

基于光子晶体的喇叭型光功率分路器 [P].

孙小菡 ;

于兵 .

中国专利 :CN201812051U ,2011-04-27

[5]

基于多层氮化硅波导的集成光子光学陀螺芯片 [P].

马里奥·帕尼西亚 .

中国专利 :CN115023587A ,2022-09-06

[6]

定向耦合器及基于氮化硅平台的光开关 [P].

杨忠华 ;

崔乃迪 ;

杨明祥 ;

梁宇鑫 ;

冯靖 ;

李智慧 ;

廖海军 ;

陈仙 ;

冯俊波 ;

郭进 .

中国专利 :CN111290191A ,2020-06-16

[7]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[8]

用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜 [P].

罗德尼·顺隆·利马 ;

金正倍 ;

王家锐 ;

崔羿 ;

任东吉 ;

崔寿永 .

美国专利 :CN121126863A ,2025-12-12

[9]

用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜 [P].

罗德尼·顺隆·利马 ;

金正倍 ;

王家锐 ;

崔羿 ;

任东吉 ;

崔寿永 .

中国专利 :CN114303239A ,2022-04-08

[10]

用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜 [P].

罗德尼·顺隆·利马 ;

金正倍 ;

王家锐 ;

崔羿 ;

任东吉 ;

崔寿永 .

美国专利 :CN114303239B ,2025-09-02

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