基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111234345.X
申请日
2021-10-22
公开(公告)号
CN114094439A
公开(公告)日
2022-02-25
发明(设计)人
刘启发 周扬
申请人
申请人地址
210000 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
IPC主分类号
H01S511
IPC分类号
H01S5343
代理机构
南京纵横知识产权代理有限公司 32224
代理人
董建林
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
基于氮化硅光子晶体的光分路器 [P]. 
佘小娟 ;
廖涵 ;
赵瑛璇 ;
仇超 ;
甘甫烷 .
中国专利 :CN215575764U ,2022-01-18
[2]
基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面激光器及制备方法 [P]. 
刘启发 ;
刘美玉 ;
许涵蕾 ;
徐嘉琪 ;
皇甫甜 .
中国专利 :CN111641107A ,2020-09-08
[3]
基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法 [P]. 
佘小娟 ;
廖涵 ;
赵瑛璇 ;
仇超 ;
甘甫烷 .
中国专利 :CN113359233B ,2025-02-18
[4]
基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法 [P]. 
佘小娟 ;
廖涵 ;
赵瑛璇 ;
仇超 ;
甘甫烷 .
中国专利 :CN113359233A ,2021-09-07
[5]
全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法 [P]. 
张保平 ;
梅洋 ;
许荣彬 ;
应磊莹 ;
郑志威 .
中国专利 :CN107404066A ,2017-11-28
[6]
氮化镓基激光器腔面结构、氮化镓基激光器及其制备方法 [P]. 
胡磊 ;
吴思 ;
李增成 .
中国专利 :CN117595076A ,2024-02-23
[7]
光子晶体垂直腔面发射激光器 [P]. 
潘智鹏 ;
李伟 ;
刘素平 ;
马骁宇 .
中国专利 :CN113140961B ,2021-07-20
[8]
一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
张保平 ;
杨涛 ;
梅洋 ;
石磊 ;
应磊莹 .
中国专利 :CN118137289A ,2024-06-04
[9]
一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法 [P]. 
梅洋 ;
石磊 ;
应磊莹 ;
张保平 .
中国专利 :CN117498146A ,2024-02-02
[10]
一种基于氮化硅的激光器 [P]. 
吴兴宇 .
中国专利 :CN109768471A ,2019-05-17