超细二氧化硅的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96114245.6

申请日：

1996-12-24

公开(公告)号：

CN1186044A

公开(公告)日：

1998-07-01

发明(设计)人：

袁伟

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北三环东路15号

IPC主分类号：

C01B3312

IPC分类号：

代理机构：

北京化工学院专利代理事务所

代理人：

何清;霍京华

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-09-20	授权	授权
1997-07-30	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1998-07-01	公开	公开
2002-02-13	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

细化二氧化硅的方法、超细二氧化硅粉末和用途 [P].

王益庆 ;

沈家锋 ;

王帅 ;

邵进 .

中国专利 :CN113755032A ,2021-12-07

[2]

超细二氧化硅粉体的制备方法 [P].

章浩龙 .

中国专利 :CN1407026A ,2003-04-02

[3]

利用沉淀法制备二氧化硅的方法及其制得的二氧化硅 [P].

陈洪厚 ;

张德兵 .

中国专利 :CN108975341A ,2018-12-11

[4]

制备高纯度、单分散憎水超细二氧化硅颗粒的方法 [P].

唐芳琼 ;

李津茹 ;

袁金锁 ;

江龙 .

中国专利 :CN1057818A ,1992-01-15

[5]

一种二氧化硅凝胶分级法制备超细二氧化硅装置 [P].

孙维习 .

中国专利 :CN212732274U ,2021-03-19

[6]

一种可分散超细二氧化硅的制备方法 [P].

童跃进 ;

张志建 ;

王树喜 ;

关怀民 ;

马荣 ;

黄清泉 .

中国专利 :CN101838479B ,2010-09-22

[7]

多孔二氧化硅的制备方法以及多孔二氧化硅 [P].

今井宏明 ;

绪明佑哉 ;

渡辺洋人 .

中国专利 :CN102834355B ,2012-12-19

[8]

一种电子级超细二氧化硅及其制备方法 [P].

卢元方 ;

陈家茂 ;

赵晓彬 .

中国专利 :CN103950942A ,2014-07-30

[9]

细二氧化硅颗粒 [P].

大原雅和 ;

木村稔 ;

青木博男 .

中国专利 :CN100569642C ,2006-04-05

[10]

中孔二氧化硅细颗粒的制备方法、中孔二氧化硅细颗粒、中孔二氧化硅细颗粒的液体分散体、含中孔二氧化硅细颗粒的组合物和含中孔二氧化硅细颗粒的模制品 [P].

矢部裕城 ;

山木健之 ;

干川康人 ;

大久保达也 ;

下嶋敦 .

中国专利 :CN102574693B ,2012-07-11

← 1 2 3 4 5 →