制备高纯度、单分散憎水超细二氧化硅颗粒的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN90103145.3

申请日：

1990-06-29

公开(公告)号：

CN1057818A

公开(公告)日：

1992-01-15

发明(设计)人：

唐芳琼李津茹袁金锁江龙

申请人：

申请人地址：

100101北京市德外北沙滩

IPC主分类号：

C01B33113

IPC分类号：

代理机构：

中国科学院专利事务所

代理人：

张载鹤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1992-01-15	公开	公开
1997-08-13	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-01-04	授权	授权
1991-02-27	实质审查请求已生效的专利申请	实质审查请求已生效的专利申请

共 50 条

[1]

超细单分散憎水二氧化硅颗粒的制备方法 [P].

傅小安 ;

江龙 .

中国专利 :CN1097718A ,1995-01-25

[2]

超细二氧化硅的制备方法 [P].

袁伟 .

中国专利 :CN1186044A ,1998-07-01

[3]

制备高纯度二氧化硅颗粒的方法 [P].

K·舒马赫 ;

C·舒尔策-伊斯福特 .

中国专利 :CN101688068A ,2010-03-31

[4]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

李辉 .

中国专利 :CN107867696A ,2018-04-03

[5]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108203096A ,2018-06-26

[6]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

折居见一 ;

西田正史 ;

八木淳介 ;

大岛岩 .

中国专利 :CN86104402A ,1987-01-28

[7]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

李春梅 .

中国专利 :CN106698443A ,2017-05-24

[8]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

吴以舜 ;

李根长 ;

程志林 ;

朱文彬 ;

张冠军 .

中国专利 :CN102874821A ,2013-01-16

[9]

细化二氧化硅的方法、超细二氧化硅粉末和用途 [P].

王益庆 ;

沈家锋 ;

王帅 ;

邵进 .

中国专利 :CN113755032A ,2021-12-07

[10]

中孔二氧化硅细颗粒的制备方法、中孔二氧化硅细颗粒、中孔二氧化硅细颗粒的液体分散体、含中孔二氧化硅细颗粒的组合物和含中孔二氧化硅细颗粒的模制品 [P].

矢部裕城 ;

山木健之 ;

干川康人 ;

大久保达也 ;

下嶋敦 .

中国专利 :CN102574693B ,2012-07-11

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