制备高纯度二氧化硅颗粒的方法

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专利类型
发明
申请号
CN200880023455.8
申请日
2008-06-16
公开(公告)号
CN101688068A
公开(公告)日
2010-03-31
发明(设计)人
K·舒马赫 C·舒尔策-伊斯福特
申请人
申请人地址
德国埃森
IPC主分类号
C09C130
IPC分类号
C03C306 C01B3318 C03C1200
代理机构
永新专利商标代理有限公司
代理人
于 辉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
李辉 .
中国专利 :CN107867696A ,2018-04-03
[2]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108203096A ,2018-06-26
[3]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
折居见一 ;
西田正史 ;
八木淳介 ;
大岛岩 .
中国专利 :CN86104402A ,1987-01-28
[4]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
李春梅 .
中国专利 :CN106698443A ,2017-05-24
[5]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
吴以舜 ;
李根长 ;
程志林 ;
朱文彬 ;
张冠军 .
中国专利 :CN102874821A ,2013-01-16
[6]
二氧化硅颗粒以及二氧化硅颗粒的制备方法 [P]. 
奥野广良 ;
井上敏司 ;
饭田能史 ;
中岛与人 ;
钱谷优香 ;
惠利祥史 ;
角仓康夫 ;
师冈泰久 ;
野崎骏介 ;
岩永猛 ;
竹内荣 .
中国专利 :CN106517214A ,2017-03-22
[7]
高纯度二氧化硅的生产方法 [P]. 
吴以舜 .
中国专利 :CN102320614B ,2012-01-18
[8]
二氧化硅颗粒和二氧化硅颗粒的制造方法 [P]. 
加藤怜实 ;
平野义宏 ;
木村将也 ;
河本宗范 ;
夫马康博 ;
三木万海 .
日本专利 :CN120035564A ,2025-05-23
[9]
制备二氧化硅复合颗粒的方法 [P]. 
奥野广良 ;
岩永猛 ;
饭田能史 ;
滨睦 ;
鹿岛保伸 ;
野崎骏介 .
中国专利 :CN103482635B ,2014-01-01
[10]
二氧化硅颗粒的制备方法 [P]. 
竹内荣 ;
川岛信一郎 ;
奥野广良 ;
吉川英昭 ;
增田悠二 ;
野崎骏介 ;
钱谷优香 .
中国专利 :CN102557049A ,2012-07-11