高纯度二氧化硅的生产方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110256238.7
申请日
2011-09-01
公开(公告)号
CN102320614B
公开(公告)日
2012-01-18
发明(设计)人
吴以舜
申请人
申请人地址
311100 浙江省杭州市钱江经济开发区康信路589号
IPC主分类号
C01B3312
IPC分类号
代理机构
杭州丰禾专利事务所有限公司 33214
代理人
李久林
法律状态
专利权的终止
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
李辉 .
中国专利 :CN107867696A ,2018-04-03
[2]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108203096A ,2018-06-26
[3]
高纯度二氧化硅生产装置 [P]. 
应盛荣 ;
姜战 ;
应悦 .
中国专利 :CN205575663U ,2016-09-14
[4]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
李春梅 .
中国专利 :CN106698443A ,2017-05-24
[5]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
吴以舜 ;
李根长 ;
程志林 ;
朱文彬 ;
张冠军 .
中国专利 :CN102874821A ,2013-01-16
[6]
二氧化硅生产高纯度硅的方法 [P]. 
阿里·沙弗迪 ;
皮埃尔·卡宾 .
中国专利 :CN108025917A ,2018-05-11
[7]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
折居见一 ;
西田正史 ;
八木淳介 ;
大岛岩 .
中国专利 :CN86104402A ,1987-01-28
[8]
制备高纯度二氧化硅颗粒的方法 [P]. 
K·舒马赫 ;
C·舒尔策-伊斯福特 .
中国专利 :CN101688068A ,2010-03-31
[9]
高纯度二氧化硅的工业化生产方法 [P]. 
应盛荣 ;
姜战 ;
应悦 .
中国专利 :CN105585017B ,2016-05-18
[10]
高纯度的热解制备的二氧化硅 [P]. 
豪克·雅各布森 ;
莫尼卡·奥斯瓦尔德 ;
凯·舒马赫 ;
马丁·莫尔特尔斯 .
中国专利 :CN1863733A ,2006-11-15