高纯度二氧化硅的工业化生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610131771.3

申请日：

2016-03-09

公开(公告)号：

CN105585017B

公开(公告)日：

2016-05-18

发明(设计)人：

应盛荣姜战应悦

申请人：

申请人地址：

324002 浙江省衢州市彩虹嘉苑7幢405室

IPC主分类号：

C01B3312

IPC分类号：

代理机构：

北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411

代理人：

张清彦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	公开	公开
2016-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665081211 IPC(主分类):C01B 33/12 专利申请号:2016101317713 申请日:20160309
2017-12-15	授权	授权

共 50 条

[1]

高纯度二氧化硅生产装置 [P].

应盛荣 ;

姜战 ;

应悦 .

中国专利 :CN205575663U ,2016-09-14

[2]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

李辉 .

中国专利 :CN107867696A ,2018-04-03

[3]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108203096A ,2018-06-26

[4]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

李春梅 .

中国专利 :CN106698443A ,2017-05-24

[5]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

吴以舜 ;

李根长 ;

程志林 ;

朱文彬 ;

张冠军 .

中国专利 :CN102874821A ,2013-01-16

[6]

高纯度二氧化硅的生产方法 [P].

吴以舜 .

中国专利 :CN102320614B ,2012-01-18

[7]

二氧化硅生产高纯度硅的方法 [P].

阿里·沙弗迪 ;

皮埃尔·卡宾 .

中国专利 :CN108025917A ,2018-05-11

[8]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

折居见一 ;

西田正史 ;

八木淳介 ;

大岛岩 .

中国专利 :CN86104402A ,1987-01-28

[9]

一种高纯度二氧化硅的规模化生产方法 [P].

蔡轩臣 .

中国专利 :CN113800527A ,2021-12-17

[10]

一种超高纯度二氧化硅粉体材料工业化生产制备方法 [P].

庞庆港 ;

梁超旭 ;

莫民坤 ;

杨靖 ;

夏梦 ;

李浩铭 ;

窦明远 ;

邹帅 ;

冯清 ;

黄福川 .

中国专利 :CN112194145A ,2021-01-08

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