高纯度二氧化硅的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510789515.9

申请日：

2015-11-16

公开(公告)号：

CN106698443A

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

李春梅

申请人：

申请人地址：

266100 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道院后庄社区南1000米

IPC主分类号：

C01B3312

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	公开	公开
2019-05-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B 33/12 申请公布日:20170524

共 50 条

[1]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

李辉 .

中国专利 :CN107867696A ,2018-04-03

[2]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108203096A ,2018-06-26

[3]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

吴以舜 ;

李根长 ;

程志林 ;

朱文彬 ;

张冠军 .

中国专利 :CN102874821A ,2013-01-16

[4]

制备白炭黑或高纯度二氧化硅的方法 [P].

张旭 ;

郝良影 ;

白扬 ;

魏浩然 .

中国专利 :CN107686115A ,2018-02-13

[5]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

折居见一 ;

西田正史 ;

八木淳介 ;

大岛岩 .

中国专利 :CN86104402A ,1987-01-28

[6]

高纯度二氧化硅的生产方法 [P].

吴以舜 .

中国专利 :CN102320614B ,2012-01-18

[7]

一种高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

任秀莲 ;

魏琦峰 ;

魏澜 ;

吴迪 .

中国专利 :CN120136110A ,2025-06-13

[8]

高纯度二氧化硅的工业化生产方法 [P].

应盛荣 ;

姜战 ;

应悦 .

中国专利 :CN105585017B ,2016-05-18

[9]

高纯度二氧化硅生产装置 [P].

应盛荣 ;

姜战 ;

应悦 .

中国专利 :CN205575663U ,2016-09-14

[10]

制备高纯度二氧化硅颗粒的方法 [P].

K·舒马赫 ;

C·舒尔策-伊斯福特 .

中国专利 :CN101688068A ,2010-03-31

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