一种高纯度二氧化硅的规模化生产方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111208352.2
申请日
2021-10-18
公开(公告)号
CN113800527A
公开(公告)日
2021-12-17
发明(设计)人
蔡轩臣
申请人
申请人地址
221400 江苏省徐州市新沂市锡沂高新区北京东路南侧、珠江路东侧、太行山路北侧标准厂房A栋一层厂房
IPC主分类号
C01B3312
IPC分类号
C01B33193
代理机构
苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) 32267
代理人
石磊
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
高纯度二氧化硅的工业化生产方法 [P]. 
应盛荣 ;
姜战 ;
应悦 .
中国专利 :CN105585017B ,2016-05-18
[2]
高纯度二氧化硅的生产方法 [P]. 
吴以舜 .
中国专利 :CN102320614B ,2012-01-18
[3]
高纯度二氧化硅生产装置 [P]. 
应盛荣 ;
姜战 ;
应悦 .
中国专利 :CN205575663U ,2016-09-14
[4]
二氧化硅生产高纯度硅的方法 [P]. 
阿里·沙弗迪 ;
皮埃尔·卡宾 .
中国专利 :CN108025917A ,2018-05-11
[5]
制备高纯度二氧化硅颗粒的方法 [P]. 
K·舒马赫 ;
C·舒尔策-伊斯福特 .
中国专利 :CN101688068A ,2010-03-31
[6]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
李辉 .
中国专利 :CN107867696A ,2018-04-03
[7]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
折居见一 ;
西田正史 ;
八木淳介 ;
大岛岩 .
中国专利 :CN86104402A ,1987-01-28
[8]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108203096A ,2018-06-26
[9]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
李春梅 .
中国专利 :CN106698443A ,2017-05-24
[10]
高纯度二氧化硅的制备方法 [P]. 
吴以舜 ;
李根长 ;
程志林 ;
朱文彬 ;
张冠军 .
中国专利 :CN102874821A ,2013-01-16