高纯度的热解制备的二氧化硅

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480026845.2

申请日：

2004-09-16

公开(公告)号：

CN1863733A

公开(公告)日：

2006-11-15

发明(设计)人：

豪克·雅各布森莫尼卡·奥斯瓦尔德凯·舒马赫马丁·莫尔特尔斯

申请人：

申请人地址：

德国杜塞尔多夫市

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

C03B1912

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

于辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-15	公开	公开
2007-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-02-13	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101394725294 IPC(主分类):C01B 33/18 专利申请号:2004800268452 放弃生效日:20061115

共 50 条

[1]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

李辉 .

中国专利 :CN107867696A ,2018-04-03

[2]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108203096A ,2018-06-26

[3]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

折居见一 ;

西田正史 ;

八木淳介 ;

大岛岩 .

中国专利 :CN86104402A ,1987-01-28

[4]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

李春梅 .

中国专利 :CN106698443A ,2017-05-24

[5]

高纯度二氧化硅的制备方法 [P].

吴以舜 ;

李根长 ;

程志林 ;

朱文彬 ;

张冠军 .

中国专利 :CN102874821A ,2013-01-16

[6]

热解制备的二氧化硅 [P].

马丁·莫特尔斯 ;

豪克·雅各布森 ;

凯·舒马赫 .

中国专利 :CN100506693C ,2006-01-25

[7]

制备高纯度二氧化硅颗粒的方法 [P].

K·舒马赫 ;

C·舒尔策-伊斯福特 .

中国专利 :CN101688068A ,2010-03-31

[8]

高纯度二氧化硅的生产方法 [P].

吴以舜 .

中国专利 :CN102320614B ,2012-01-18

[9]

高纯度二氧化硅生产装置 [P].

应盛荣 ;

姜战 ;

应悦 .

中国专利 :CN205575663U ,2016-09-14

[10]

二氧化硅生产高纯度硅的方法 [P].

阿里·沙弗迪 ;

皮埃尔·卡宾 .

中国专利 :CN108025917A ,2018-05-11

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