超细单分散憎水二氧化硅颗粒的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN94104007.0
申请日
1994-04-13
公开(公告)号
CN1097718A
公开(公告)日
1995-01-25
发明(设计)人
傅小安 江龙
申请人
申请人地址
100101北京市北沙滩中科院感光所
IPC主分类号
C01B33145
IPC分类号
C01B3313
代理机构
北京市专利事务所
代理人
郭佩兰
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
制备高纯度、单分散憎水超细二氧化硅颗粒的方法 [P]. 
唐芳琼 ;
李津茹 ;
袁金锁 ;
江龙 .
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[2]
细二氧化硅颗粒 [P]. 
大原雅和 ;
木村稔 ;
青木博男 .
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[3]
二氧化硅颗粒以及二氧化硅颗粒的制备方法 [P]. 
奥野广良 ;
井上敏司 ;
饭田能史 ;
中岛与人 ;
钱谷优香 ;
惠利祥史 ;
角仓康夫 ;
师冈泰久 ;
野崎骏介 ;
岩永猛 ;
竹内荣 .
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[4]
超细二氧化硅的制备方法 [P]. 
袁伟 .
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[5]
二氧化硅颗粒分散液 [P]. 
加茂博道 .
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[6]
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[7]
二氧化硅颗粒和二氧化硅颗粒的制造方法 [P]. 
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[8]
中孔二氧化硅细颗粒的制备方法、中孔二氧化硅细颗粒、中孔二氧化硅细颗粒的液体分散体、含中孔二氧化硅细颗粒的组合物和含中孔二氧化硅细颗粒的模制品 [P]. 
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[9]
二氧化硅颗粒的制备方法 [P]. 
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奥野广良 ;
吉川英昭 ;
增田悠二 ;
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[10]
二氧化硅颗粒的制备方法 [P]. 
M·祖赫 ;
G·舍茨 ;
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