一种具有深N+空穴电流阻挡层的光控晶闸管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810412675.5

申请日：

2018-05-03

公开(公告)号：

CN108615785B

公开(公告)日：

2018-10-02

发明(设计)人：

陈万军邓操夏云高吴昊左慧玲刘超

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L31111

IPC分类号：

H01L310352

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-27	授权	授权
2018-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/111 申请日:20180503
2018-10-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管 [P].

陈万军 ;

邓操 ;

刘超 ;

魏东 ;

高吴昊 ;

左慧玲 ;

夏云 .

中国专利 :CN108767007B ,2018-11-06

[2]

具有电流阻挡层的发光元件 [P].

金艺瑟 ;

金京完 ;

金智惠 ;

禹尚沅 .

中国专利 :CN108281523B ,2018-07-13

[3]

具有电流阻挡层的发光元件 [P].

金艺瑟 ;

金京完 ;

金智惠 ;

禹尚沅 .

中国专利 :CN207676936U ,2018-07-31

[4]

一种电流阻挡层、电流阻挡层的制备方法及LED芯片 [P].

范绅钺 ;

田晓强 ;

郭文凯 .

中国专利 :CN114709300A ,2022-07-05

[5]

一种电流阻挡层、电流阻挡层的制备方法及LED芯片 [P].

范绅钺 ;

田晓强 ;

郭文凯 .

中国专利 :CN114709300B ,2025-05-02

[6]

一种具有电流阻挡层的LED芯片 [P].

林素慧 ;

何安和 ;

尹灵峰 ;

刘传桂 ;

郑建森 .

中国专利 :CN202196806U ,2012-04-18

[7]

一种具有电流阻挡层的激光器 [P].

马骁宇 ;

常津源 ;

刘素平 ;

熊聪 ;

仲莉 ;

林楠 .

中国专利 :CN113206448A ,2021-08-03

[8]

一种具有电流阻挡层的LED外延结构 [P].

马昆旺 ;

吴质朴 ;

何畏 ;

陈强 .

中国专利 :CN207338417U ,2018-05-08

[9]

具有电流阻挡层的半导体发光装置 [P].

李完镐 .

中国专利 :CN102800768A ,2012-11-28

[10]

一种具有反射型电流阻挡层的LED芯片 [P].

樊邦扬 ;

叶国光 ;

梁伏波 ;

杨小东 ;

曹东兴 .

中国专利 :CN202094166U ,2011-12-28

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