一种AlInGaN紫外发光器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110877905.7

申请日：

2021-08-02

公开(公告)号：

CN113328016A

公开(公告)日：

2021-08-31

发明(设计)人：

黄小辉

申请人：

申请人地址：

310000 浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3332 H01L3300

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

杜阳阳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	授权	授权
2021-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20210802
2021-08-31	公开	公开

共 50 条

[1]

超薄紫外发光器件及其制备方法 [P].

曾昭烩 ;

陈志涛 ;

李祈昕 ;

刘晓燕 ;

曾巧玉 ;

左秉鑫 ;

李叶林 .

中国专利 :CN109950370A ,2019-06-28

[2]

紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件 [P].

郭凯 ;

李开心 ;

徐广源 ;

俄文文 ;

李超 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN119208481B ,2025-09-30

[3]

紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件 [P].

郭凯 ;

李开心 ;

徐广源 ;

俄文文 ;

李超 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN119208481A ,2024-12-27

[4]

紫外发光器件及其制造方法 [P].

斋藤义树 .

中国专利 :CN106505133A ,2017-03-15

[5]

一种AlInGaN半导体发光器件 [P].

黄小辉 .

中国专利 :CN113257965B ,2021-08-13

[6]

一种发光器件及其制备方法 [P].

杨力勋 ;

杨剑锋 ;

何国玮 ;

蔡琳榕 ;

曾晓强 ;

黄少华 .

中国专利 :CN112490260A ,2021-03-12

[7]

一种发光器件及其制备方法 [P].

杨力勋 ;

杨剑锋 ;

何国玮 ;

蔡琳榕 ;

曾晓强 ;

黄少华 .

中国专利 :CN112490260B ,2024-02-02

[8]

发光器件及其制备方法 [P].

高崙赫 ;

李昌熙 ;

郑然九 ;

金德起 ;

朴宗源 ;

河在国 .

中国专利 :CN113745386A ,2021-12-03

[9]

发光器件及其制备方法 [P].

翟小林 ;

杨顺贵 ;

刘勇兴 ;

黎力 ;

周毅 .

中国专利 :CN113451460B ,2021-09-28

[10]

一种微型发光器件及其制备方法 [P].

刘伟 ;

刘英策 ;

邬新根 ;

王锐 ;

陈宣良 .

中国专利 :CN115360278A ,2022-11-18

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