一种发光器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011268801.8

申请日：

2020-11-13

公开(公告)号：

CN112490260B

公开(公告)日：

2024-02-02

发明(设计)人：

杨力勋杨剑锋何国玮蔡琳榕曾晓强黄少华

申请人：

泉州三安半导体科技有限公司

申请人地址：

362343 福建省泉州市南安市石井镇院前村

IPC主分类号：

H01L27/15

IPC分类号：

H01L33/38

代理机构：

北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479

代理人：

高园园

法律状态：

授权

国省代码：

福建省泉州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种发光器件及其制备方法 [P].

杨力勋 ;

杨剑锋 ;

何国玮 ;

蔡琳榕 ;

曾晓强 ;

黄少华 .

中国专利 :CN112490260A ,2021-03-12

[2]

发光器件及其制备方法 [P].

高崙赫 ;

李昌熙 ;

郑然九 ;

金德起 ;

朴宗源 ;

河在国 .

中国专利 :CN113745386A ,2021-12-03

[3]

发光器件及其制备方法 [P].

翟小林 ;

杨顺贵 ;

刘勇兴 ;

黎力 ;

周毅 .

中国专利 :CN113451460B ,2021-09-28

[4]

一种微型发光器件及其制备方法 [P].

刘伟 ;

刘英策 ;

邬新根 ;

王锐 ;

陈宣良 .

中国专利 :CN115360278A ,2022-11-18

[5]

一种半导体发光器件及其制备方法 [P].

钟志白 ;

李佳恩 ;

张敏 ;

卓昌正 ;

徐宸科 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN113113516A ,2021-07-13

[6]

一种激光发光器件结构及其制备方法 [P].

杨力勋 ;

蔡琳榕 .

中国专利 :CN120377054A ,2025-07-25

[7]

一种AlInGaN紫外发光器件及其制备方法 [P].

黄小辉 .

中国专利 :CN113328016A ,2021-08-31

[8]

一种半导体发光器件及其制备方法 [P].

钟志白 ;

李佳恩 ;

张敏 ;

卓昌正 ;

徐宸科 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN110364593A ,2019-10-22

[9]

一种发光器件及其制备方法 [P].

刘明 .

中国专利 :CN110600625B ,2019-12-20

[10]

发光器件及其制备方法 [P].

顾颖 ;

朱建军 ;

杨文献 ;

蒋敏 ;

陆书龙 ;

龚毅 ;

黄梦洋 ;

张鹏 ;

蔡登山 .

中国专利 :CN120786998A ,2025-10-14

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