一种碳化硅陶瓷表面改性方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110419263.2
申请日
2011-12-13
公开(公告)号
CN102557730A
公开(公告)日
2012-07-11
发明(设计)人
王伟 李红伟 郭亚杰
申请人
申请人地址
710064 陕西省西安市南二环中段
IPC主分类号
C04B4185
IPC分类号
代理机构
西安恒泰知识产权代理事务所 61216
代理人
李郑建;史玫
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
一种碳化硅表面改性方法 [P]. 
李志强 ;
谭颖 ;
牛艳奔 ;
郭永利 ;
张志成 ;
潘振远 ;
刘秀霞 .
中国专利 :CN1636938A ,2005-07-13
[2]
一种碳化硅表面改性方法 [P]. 
白云立 ;
王利 ;
王刚 ;
张继友 ;
周于鸣 ;
王永刚 ;
孟晓辉 ;
郭文 ;
徐领娣 ;
于建海 .
中国专利 :CN110551979A ,2019-12-10
[3]
碳化硅的表面改性方法 [P]. 
谭颍 ;
李志强 ;
郭永利 ;
车吉泰 ;
张志成 ;
潘振远 .
中国专利 :CN100412142C ,2003-05-14
[4]
一种碳化硅微粉的表面改性方法 [P]. 
李明涛 ;
沈春英 ;
刘宝 ;
郑海 ;
杨学根 ;
胡增涵 ;
李家茂 .
中国专利 :CN103833378A ,2014-06-04
[5]
一种碳化硅的辐射接枝表面改性方法 [P]. 
李志强 ;
谭颖 ;
牛艳奔 ;
郭永利 ;
张志成 ;
潘振远 ;
窦艳丽 .
中国专利 :CN1278994C ,2005-07-13
[6]
一种碳化硅生产废料制备碳化硅陶瓷的方法及碳化硅陶瓷 [P]. 
刘欣宇 ;
袁振洲 .
中国专利 :CN118930275A ,2024-11-12
[7]
表面改性碳化硅晶须增韧反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法 [P]. 
王继平 ;
刘攀 ;
张立学 ;
杨建锋 ;
史忠旗 ;
王波 ;
王红洁 .
中国专利 :CN110304933B ,2019-10-08
[8]
一种反应烧结碳化硅产品的表面改性方法 [P]. 
赵金 ;
王兴龙 ;
皇甫丙臣 ;
马涛 ;
杨凯 ;
奚任芳 ;
李信荣 .
中国专利 :CN114409411B ,2022-04-29
[9]
一种精细陶瓷制品用的碳化硅微粉的表面改性方法 [P]. 
任云 ;
刘长春 ;
任江 ;
杨丽辉 .
中国专利 :CN107663089A ,2018-02-06
[10]
一种碳化硅微粉的改性方法 [P]. 
魏俊宇 .
中国专利 :CN106927464B ,2017-07-07