一种AlxGa1-xN纳米线阵列及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410810686.0

申请日：

2014-12-19

公开(公告)号：

CN104528668A

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

季小红陈飞王婷

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

C01B2106

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

罗观祥

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 21/06 申请日:20141219 授权公告日:20160622 终止日期:20211219
2015-04-22	公开	公开
2016-06-22	授权	授权
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609914399 IPC(主分类):C01B 21/06 专利申请号:2014108106860 申请日:20141219

共 50 条

[1]

制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法 [P].

吴强 ;

何承雨 ;

胡征 ;

王喜章 .

中国专利 :CN102127807B ,2011-07-20

[2]

变组分反射式NEA AlxGa1-xN纳米线阵列光电阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

陆菲菲 ;

田健 ;

夏斯浩 .

中国专利 :CN109103059A ,2018-12-28

[3]

一种制备AIN纳米线及其阵列的方法 [P].

胡征 ;

王喜章 ;

吴强 ;

付继江 ;

陈懿 .

中国专利 :CN1241831C ,2003-03-12

[4]

一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 [P].

亚瑟·阿巴斯 ;

张凯 ;

宫建茹 .

中国专利 :CN106929820A ,2017-07-07

[5]

一种空腔结构化硅-碳核壳纳米线阵列、制备方法及其用途 [P].

李祥龙 ;

王斌 ;

智林杰 .

中国专利 :CN105449173B ,2016-03-30

[6]

铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用 [P].

朱长飞 ;

张中伟 ;

刘伟丰 .

中国专利 :CN101700871A ,2010-05-05

[7]

一种纳米线阵列及其制备方法和应用 [P].

张嘉漪 ;

郑耿锋 ;

颜彪 ;

袁源智 ;

杨入祎 ;

赵鹏 ;

彭陈 .

中国专利 :CN113633820A ,2021-11-12

[8]

一种纸基纳米线阵列及其制备方法和应用 [P].

许金友 ;

刘汉煜 ;

周伟 ;

毛望龙 ;

梁展豪 ;

陈湘涛 ;

黄平洋 ;

周国富 .

中国专利 :CN119053159A ,2024-11-29

[9]

CeO2 @CNT核壳纳米线阵列及其制备方法和用途 [P].

崔接武 ;

罗金宝 ;

秦永强 ;

张勇 ;

王岩 ;

张信义 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN105866208A ,2016-08-17

[10]

一种金属酞菁纳米线阵列及其制备方法与应用 [P].

许金友 ;

宋健 ;

宋佳迅 ;

廖记辉 ;

赵子豪 ;

张玲玉 ;

王兴宇 ;

周国富 .

中国专利 :CN113881918A ,2022-01-04

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