制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110033619.9

申请日：

2011-01-31

公开(公告)号：

CN102127807B

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

吴强何承雨胡征王喜章

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

C30B2500

IPC分类号：

C30B2938 C23C1634

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司 32112

代理人：

周静

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-22	授权	授权
2011-07-20	公开	公开
2020-01-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 25/00 申请日:20110131 授权公告日:20120822 终止日期:20190131
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101102912212 IPC(主分类):C30B 25/00 专利申请号:2011100336199 申请日:20110131

共 50 条

[1]

AlxGa1‑xN三元合金锥状纳米晶及其制备方法 [P].

沈龙海 ;

齐东丽 ;

吕伟 .

中国专利 :CN107758727A ,2018-03-06

[2]

一种AlxGa1-xN纳米线阵列及其制备方法与应用 [P].

季小红 ;

陈飞 ;

王婷 .

中国专利 :CN104528668A ,2015-04-22

[3]

AlxGa1-xN晶体的生长方法和AlxGa1-xN晶体衬底 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN101473075B ,2009-07-01

[4]

生长AlxGa1-xN单晶的方法 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

谷崎圭祐 ;

川濑智博 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN101932758A ,2010-12-29

[5]

高Al组分AlxGa1‑xN三元合金微晶球及其制备方法 [P].

沈龙海 ;

吕伟 .

中国专利 :CN107740189A ,2018-02-27

[6]

AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法 [P].

赵德刚 ;

李晓静 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

朱建军 ;

陈平 .

中国专利 :CN105374903A ,2016-03-02

[7]

铁电薄膜三元复合光电极及其制备方法 [P].

方亮 ;

王顺 ;

游陆 .

中国专利 :CN110656350B ,2020-01-07

[8]

一种二维三元非层状碲锌镉晶体材料及其制备方法 [P].

赵梅 ;

张礼杰 ;

雷敏婷 ;

张克难 ;

尤胜东 .

中国专利 :CN118516756A ,2024-08-20

[9]

富锂三元系纳米材料的制备方法 [P].

马守龙 ;

杨茂萍 .

中国专利 :CN104466160A ,2015-03-25

[10]

一种高密度三元复合材料的制备方法 [P].

丁建民 .

中国专利 :CN109167053A ,2019-01-08

← 1 2 3 4 5 →