AlxGa1‑xN三元合金锥状纳米晶及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710993675.4

申请日：

2017-10-23

公开(公告)号：

CN107758727A

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

沈龙海齐东丽吕伟

申请人：

申请人地址：

110159 辽宁省沈阳市浑南新区南屏中路6号

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

B82Y4000 C23C1630 C23C1644 C03C1722

代理机构：

沈阳东大知识产权代理有限公司 21109

代理人：

马海芳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-30	授权	授权
2018-03-06	公开	公开
2018-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 15/00 申请日:20171023

共 50 条

[1]

高Al组分AlxGa1‑xN三元合金微晶球及其制备方法 [P].

沈龙海 ;

吕伟 .

中国专利 :CN107740189A ,2018-02-27

[2]

制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法 [P].

吴强 ;

何承雨 ;

胡征 ;

王喜章 .

中国专利 :CN102127807B ,2011-07-20

[3]

单晶高Al组分AlxGa1-xN三元合金纳米棒的制备方法 [P].

沈龙海 ;

吕伟 .

中国专利 :CN107699951B ,2018-02-16

[4]

一种常温制备AlxGa1-xN三元合金半导体薄膜的方法 [P].

吴嘉达 ;

孙剑 ;

方芳 ;

干洁 .

中国专利 :CN101514483A ,2009-08-26

[5]

枝状纳米晶负载三元合金纳米颗粒光催化材料的制备方法 [P].

赵明 ;

陈睿 ;

王宇 ;

吴伯农 .

中国专利 :CN106378148A ,2017-02-08

[6]

一种Al1-xInxN三元合金纳米晶薄膜及其制备方法 [P].

吴丽君 ;

刘俊 ;

齐东丽 ;

迟宝倩 .

中国专利 :CN110344012A ,2019-10-18

[7]

三元半导体PbSnS3纳米晶及其制备方法 [P].

谭国龙 ;

方娟 .

中国专利 :CN107119321A ,2017-09-01

[8]

一种AlxGa1-xN纳米线阵列及其制备方法与应用 [P].

季小红 ;

陈飞 ;

王婷 .

中国专利 :CN104528668A ,2015-04-22

[9]

一种AuAgPt三元合金纳米颗粒及其制备方法 [P].

张超 ;

刘颖 ;

王金铭 ;

王艺霖 .

中国专利 :CN113579244A ,2021-11-02

[10]

三元及多元铁基块状非晶合金及纳米晶合金 [P].

金重勋 ;

林致远 .

中国专利 :CN100477025C ,2005-12-07

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