三元半导体PbSnS3纳米晶及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710244854.8

申请日：

2017-04-14

公开(公告)号：

CN107119321A

公开(公告)日：

2017-09-01

发明(设计)人：

谭国龙方娟

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B2802 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

崔友明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-01	公开	公开
2017-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750373278 IPC(主分类):C30B 29/46 专利申请号:2017102448548 申请日:20170414
2020-11-17	授权	授权

共 50 条

[1]

纳米Cu3SbS4三元半导体材料的制备方法 [P].

谭国龙 ;

盛号号 ;

徐期树 .

中国专利 :CN105923653A ,2016-09-07

[2]

一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法 [P].

李振荣 ;

陈兆平 ;

路亚群 ;

张忠利 ;

高宝禄 ;

邓胜龙 .

中国专利 :CN103980890B ,2014-08-13

[3]

半导体纳米晶群及其制备方法 [P].

彭笑刚 ;

曹煦 ;

李炯昭 .

中国专利 :CN119980474A ,2025-05-13

[4]

双金属硫族三元半导体纳米颗粒及其制备方法 [P].

李桢 ;

姜欣欣 .

中国专利 :CN106276818A ,2017-01-04

[5]

固溶体碲化锡铅半导体纳米晶及其制备方法 [P].

谭国龙 ;

宋小阳 .

中国专利 :CN108439352A ,2018-08-24

[6]

固溶体钨酸锌镉半导体纳米晶及其制备方法 [P].

谭国龙 ;

李可 .

中国专利 :CN107043130A ,2017-08-15

[7]

一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法 [P].

李林松 ;

申怀彬 .

中国专利 :CN101275077A ,2008-10-01

[8]

半导体纳米晶图案层的制备方法及其应用 [P].

肖鹏伟 ;

高远 ;

赵婧馨 .

中国专利 :CN120358913A ,2025-07-22

[9]

一种三元半导体复合薄膜及其制备方法及其应用 [P].

郭惠霞 ;

刘籽烨 ;

李亮亮 ;

苏策 ;

于冬梅 ;

张玉蓉 .

中国专利 :CN110592596A ,2019-12-20

[10]

AlxGa1‑xN三元合金锥状纳米晶及其制备方法 [P].

沈龙海 ;

齐东丽 ;

吕伟 .

中国专利 :CN107758727A ,2018-03-06

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