半导体纳米晶群及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510044616.7

申请日：

2025-01-12

公开(公告)号：

CN119980474A

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

彭笑刚曹煦李炯昭

申请人：

浙江大学纳晶科技股份有限公司

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C30B29/48

IPC分类号：

C30B29/68 C30B7/14 B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/48申请日:20250112
2025-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法 [P].

李林松 ;

申怀彬 .

中国专利 :CN101275077A ,2008-10-01

[2]

半导体纳米晶图案层的制备方法及其应用 [P].

肖鹏伟 ;

高远 ;

赵婧馨 .

中国专利 :CN120358913A ,2025-07-22

[3]

发光半导体纳米晶组合物及其制备方法及应用 [P].

周健海 .

中国专利 :CN120737846A ,2025-10-03

[4]

一种半导体纳米晶及其制备方法与应用 [P].

黄啸谷 ;

张云柯 ;

张英杰 ;

泽仁翁姆 ;

崔浩南 ;

闫子寒 .

中国专利 :CN107059131A ,2017-08-18

[5]

含有金属或半导体纳米晶的玻璃及其制备方法 [P].

林耿 ;

骆芳芳 ;

邱建荣 ;

赵全忠 ;

俆至展 .

中国专利 :CN101891391A ,2010-11-24

[6]

一种CdTe半导体纳米晶制备方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN105565283A ,2016-05-11

[7]

一种半导体纳米晶的制备方法 [P].

李林松 ;

娄世云 ;

牛金钟 .

中国专利 :CN101311383B ,2008-11-26

[8]

半导体纳米晶荧光材料的制备方法以及通过所述方法制备的半导体纳米晶荧光材料及其应用 [P].

李良 ;

张庆刚 .

中国专利 :CN110734758A ,2020-01-31

[9]

固溶体碲化锡铅半导体纳米晶及其制备方法 [P].

谭国龙 ;

宋小阳 .

中国专利 :CN108439352A ,2018-08-24

[10]

三元半导体PbSnS3纳米晶及其制备方法 [P].

谭国龙 ;

方娟 .

中国专利 :CN107119321A ,2017-09-01

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