一种CdTe半导体纳米晶制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510850551.1

申请日：

2015-11-30

公开(公告)号：

CN105565283A

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

王耀斌

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区西高新开发区枫叶大厦C座502号

IPC主分类号：

C01B1904

IPC分类号：

C09K1188

代理机构：

西安亿诺专利代理有限公司 61220

代理人：

刘斌

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B 19/04 申请公布日:20160511
2016-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体纳米晶的制备方法 [P].

李林松 ;

娄世云 ;

牛金钟 .

中国专利 :CN101311383B ,2008-11-26

[2]

半导体纳米晶群及其制备方法 [P].

彭笑刚 ;

曹煦 ;

李炯昭 .

中国专利 :CN119980474A ,2025-05-13

[3]

一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法 [P].

李林松 ;

申怀彬 .

中国专利 :CN101275077A ,2008-10-01

[4]

一种半导体纳米晶及其制备方法与应用 [P].

黄啸谷 ;

张云柯 ;

张英杰 ;

泽仁翁姆 ;

崔浩南 ;

闫子寒 .

中国专利 :CN107059131A ,2017-08-18

[5]

一种荧光半导体纳米晶防伪纸的制备方法 [P].

陈启杰 ;

王萍 ;

晏永祥 .

中国专利 :CN103669111A ,2014-03-26

[6]

窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法 [P].

唐爱伟 ;

林欧阳 .

中国专利 :CN115011333A ,2022-09-06

[7]

窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法 [P].

唐爱伟 ;

林欧阳 .

中国专利 :CN115011333B ,2024-01-16

[8]

一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用 [P].

钟海政 ;

张腾 ;

刘立格 ;

吴敏 ;

邹炳锁 ;

谢海燕 .

中国专利 :CN102774871B ,2012-11-14

[9]

一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法 [P].

吴庆生 ;

刘金库 ;

丁亚平 .

中国专利 :CN1522953A ,2004-08-25

[10]

一种制备含CdTe纳米晶/聚合物复合材料的方法 [P].

杨柏 ;

张皓 ;

王春雷 ;

李敏杰 ;

张俊虎 .

中国专利 :CN1233724C ,2004-11-10

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