窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210601670.3

申请日：

2022-05-30

公开(公告)号：

CN115011333A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

唐爱伟林欧阳

申请人：

申请人地址：

100044 北京市海淀区西直门外上园村3号

IPC主分类号：

C09K1162

IPC分类号：

C09K1102 B82Y2000 B82Y4000

代理机构：

北京市商泰律师事务所 11255

代理人：

邹芳德

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	公开	公开
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/62 申请日:20220530

共 50 条

[1]

窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法 [P].

唐爱伟 ;

林欧阳 .

中国专利 :CN115011333B ,2024-01-16

[2]

发光半导体纳米晶组合物及其制备方法及应用 [P].

周健海 .

中国专利 :CN120737846A ,2025-10-03

[3]

固溶体钨酸锌镉半导体纳米晶及其制备方法 [P].

谭国龙 ;

李可 .

中国专利 :CN107043130A ,2017-08-15

[4]

半导体纳米晶群及其制备方法 [P].

彭笑刚 ;

曹煦 ;

李炯昭 .

中国专利 :CN119980474A ,2025-05-13

[5]

窄谱带蓝光Cu-Ga-S/ZnS纳米晶的制备方法 [P].

唐爱伟 ;

牛文韬 .

中国专利 :CN116891738B ,2024-10-18

[6]

一种CdTe半导体纳米晶制备方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN105565283A ,2016-05-11

[7]

一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法 [P].

李振荣 ;

陈兆平 ;

路亚群 ;

张忠利 ;

高宝禄 ;

邓胜龙 .

中国专利 :CN103980890B ,2014-08-13

[8]

一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法 [P].

李林松 ;

申怀彬 .

中国专利 :CN101275077A ,2008-10-01

[9]

半导体纳米晶图案层的制备方法及其应用 [P].

肖鹏伟 ;

高远 ;

赵婧馨 .

中国专利 :CN120358913A ,2025-07-22

[10]

无镉再发光半导体构造 [P].

特里·L·史密斯 ;

迈克尔·A·哈斯 ;

托马斯·J·米勒 ;

孙晓光 .

中国专利 :CN102473817A ,2012-05-23

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