窄谱带蓝光Cu-Ga-S/ZnS纳米晶的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310858144.X

申请日：

2023-07-13

公开(公告)号：

CN116891738B

公开(公告)日：

2024-10-18

发明(设计)人：

唐爱伟牛文韬

申请人：

北京交通大学

申请人地址：

100044 北京市海淀区西直门外上园村3号

IPC主分类号：

C09K11/62

IPC分类号：

B82Y20/00 B82Y30/00 C09K11/02 H01L33/50

代理机构：

北京市商泰律师事务所 11255

代理人：

邹芳德

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-18	授权	授权

共 50 条

[1]

窄谱带绿光、红光Ag-In-Ga-Zn-S纳米晶的制备方法 [P].

唐爱伟 ;

解修林 ;

林欧阳 .

中国专利 :CN117866623A ,2024-04-12

[2]

窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法 [P].

唐爱伟 ;

林欧阳 .

中国专利 :CN115011333A ,2022-09-06

[3]

窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法 [P].

唐爱伟 ;

林欧阳 .

中国专利 :CN115011333B ,2024-01-16

[4]

窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法 [P].

唐爱伟 ;

解修林 ;

张玉 ;

林欧阳 .

中国专利 :CN116285963B ,2024-06-11

[5]

核壳结构的InP/ZnS纳米晶的制备方法 [P].

刘政 ;

杨一行 .

中国专利 :CN108795425A ,2018-11-13

[6]

ZnS纳米晶薄膜、其制备方法及应用 [P].

洪瑞江 ;

周新 .

中国专利 :CN103496736A ,2014-01-08

[7]

一种大尺寸高光效窄谱带多元蓝光量子点的合成方法 [P].

刘红丽 ;

汪贤龙 ;

王世荣 ;

李祥高 .

中国专利 :CN121108997A ,2025-12-12

[8]

一种窄谱带蓝光分子及其制备方法和应用 [P].

王汝佳 ;

陈文铖 ;

郑帆 ;

伍昱岚 ;

霍延平 ;

连子娴 ;

郑培严 ;

沈楷浚 ;

周璐 .

中国专利 :CN119192213A ,2024-12-27

[9]

一种成核掺杂ZnS:Mn及ZnS:Mn/ZnS纳米晶的水相制备方法 [P].

肖奇 ;

肖翀 .

中国专利 :CN101245242A ,2008-08-20

[10]

ZnS:Cu纳米晶晶体结构可控制备方法 [P].

楚学影 ;

王欣浓 ;

李金华 ;

方铉 ;

魏志鹏 ;

徐铭泽 ;

金芳军 ;

王晓华 .

中国专利 :CN105350067A ,2016-02-24

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