固溶体钨酸锌镉半导体纳米晶及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710244278.7
申请日
2017-04-14
公开(公告)号
CN107043130A
公开(公告)日
2017-08-15
发明(设计)人
谭国龙 李可
申请人
申请人地址
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
IPC主分类号
C01G4100
IPC分类号
C09K1168 B01J2330 B82Y2000 B82Y4000
代理机构
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102
代理人
崔友明
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
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[2]
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[3]
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[4]
窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法 [P]. 
唐爱伟 ;
林欧阳 .
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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谭国龙 ;
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[10]
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金永中 ;
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王睿贤 ;
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