一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210252126.9

申请日：

2012-07-19

公开(公告)号：

CN102774871B

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

钟海政张腾刘立格吴敏邹炳锁谢海燕

申请人：

申请人地址：

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

IPC主分类号：

C01G312

IPC分类号：

B82Y4000 H01L5146

代理机构：

北京理工大学专利中心 11120

代理人：

杨志兵;李爱英

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101679279674 IPC(主分类):C01G 3/12 专利申请号:2012102521269 变更事项:发明人变更前:钟海政;张腾;刘立格;邹炳锁;谢海燕变更后:钟海政;张腾;刘立格;吴敏;邹炳锁;谢海燕
2012-11-14	公开	公开
2014-10-29	授权	授权
2013-12-18	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101679279673 IPC(主分类):C01G 3/12 专利申请号:2012102521269 变更事项:申请人变更前权利人:北京理工大学变更后权利人:北京理工大学变更事项:地址变更前权利人:100081 北京市海淀区中关村南大街5号变更后权利人:100081 北京市海淀区中关村南大街5号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:上海空间电源研究所登记生效日:20131125
2013-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375922740 IPC(主分类):C01G 3/12 专利申请号:2012102521269 申请日:20120719
2018-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 3/12 申请日:20120719 授权公告日:20141029 终止日期:20170719

共 50 条

[1]

一种半导体纳米晶及其制备方法与应用 [P].

黄啸谷 ;

张云柯 ;

张英杰 ;

泽仁翁姆 ;

崔浩南 ;

闫子寒 .

中国专利 :CN107059131A ,2017-08-18

[2]

弱限域半导体纳米晶、其制备方法以及应用 [P].

彭笑刚 ;

吕刘林 ;

李烱昭 ;

刘少杰 .

中国专利 :CN115893474B ,2024-10-22

[3]

半导体纳米晶群及其制备方法 [P].

彭笑刚 ;

曹煦 ;

李炯昭 .

中国专利 :CN119980474A ,2025-05-13

[4]

一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法 [P].

李林松 ;

申怀彬 .

中国专利 :CN101275077A ,2008-10-01

[5]

半导体纳米晶图案层的制备方法及其应用 [P].

肖鹏伟 ;

高远 ;

赵婧馨 .

中国专利 :CN120358913A ,2025-07-22

[6]

一种半导体纳米晶/量子点敏化的晶硅材料及其制备方法 [P].

余锡宾 ;

王飞久 ;

杜梦娟 ;

张坤 ;

浦旭鑫 .

中国专利 :CN102184978A ,2011-09-14

[7]

一种Sb/Si异质结构半导体纳米晶薄膜及其制备方法与应用 [P].

余锡宾 ;

吴圣垚 ;

杨海 ;

吴刚 .

中国专利 :CN104600102A ,2015-05-06

[8]

一种薄膜太阳能电池及p型半导体和p型半导体的制备方法 [P].

高平奇 ;

孔英 ;

王宽冒 ;

黄艳红 ;

云骁健 .

中国专利 :CN103035757B ,2013-04-10

[9]

发光半导体纳米晶组合物及其制备方法及应用 [P].

周健海 .

中国专利 :CN120737846A ,2025-10-03

[10]

一种CdTe半导体纳米晶制备方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN105565283A ,2016-05-11

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