弱限域半导体纳米晶、其制备方法以及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211363622.1

申请日：

2022-11-02

公开(公告)号：

CN115893474B

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

彭笑刚吕刘林李烱昭刘少杰

申请人：

浙江大学纳晶科技股份有限公司

申请人地址：

310012 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C01G11/02

IPC分类号：

C01B19/04 B82Y40/00 B82Y30/00 B82Y20/00 H01L31/00 H01L33/00 H01S5/00 C09K11/67 C09K11/88

代理机构：

宁波甬心合创知识产权代理有限公司 33552

代理人：

罗继亮

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-13	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):C01G 11/02变更事项:发明人变更前:彭笑刚吕刘林李烱昭刘少杰变更后:彭笑刚吕刘林李炯昭刘少杰
2024-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用 [P].

钟海政 ;

张腾 ;

刘立格 ;

吴敏 ;

邹炳锁 ;

谢海燕 .

中国专利 :CN102774871B ,2012-11-14

[2]

一种半导体纳米晶及其制备方法与应用 [P].

黄啸谷 ;

张云柯 ;

张英杰 ;

泽仁翁姆 ;

崔浩南 ;

闫子寒 .

中国专利 :CN107059131A ,2017-08-18

[3]

半导体纳米晶荧光材料的制备方法以及通过所述方法制备的半导体纳米晶荧光材料及其应用 [P].

李良 ;

张庆刚 .

中国专利 :CN110734758A ,2020-01-31

[4]

II型核壳结构半导体纳米晶的制备方法 [P].

李林松 ;

申怀彬 ;

徐巍巍 .

中国专利 :CN103184045A ,2013-07-03

[5]

半导体纳米材料的制备方法 [P].

丘洁龙 .

中国专利 :CN113122263A ,2021-07-16

[6]

半导体纳米晶群及其制备方法 [P].

彭笑刚 ;

曹煦 ;

李炯昭 .

中国专利 :CN119980474A ,2025-05-13

[7]

半导体纳米晶图案层的制备方法及其应用 [P].

肖鹏伟 ;

高远 ;

赵婧馨 .

中国专利 :CN120358913A ,2025-07-22

[8]

发光半导体纳米晶组合物及其制备方法及应用 [P].

周健海 .

中国专利 :CN120737846A ,2025-10-03

[9]

一种CdTe半导体纳米晶制备方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN105565283A ,2016-05-11

[10]

一种半导体纳米晶的制备方法 [P].

李林松 ;

娄世云 ;

牛金钟 .

中国专利 :CN101311383B ,2008-11-26

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