半导体纳米晶荧光材料的制备方法以及通过所述方法制备的半导体纳米晶荧光材料及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911055146.5

申请日：

2019-10-31

公开(公告)号：

CN110734758A

公开(公告)日：

2020-01-31

发明(设计)人：

李良张庆刚

申请人：

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

C09K1102

IPC分类号：

C09K1166 C09K1188 C09K1156 C09K1162 H01L3350 G01N2164 A61K4900

代理机构：

深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司 44375

代理人：

李华双

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/02 申请日:20191031
2020-12-25	授权	授权
2020-01-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体纳米材料的制备方法 [P].

丘洁龙 .

中国专利 :CN113122263A ,2021-07-16

[2]

半导体纳米晶群及其制备方法 [P].

彭笑刚 ;

曹煦 ;

李炯昭 .

中国专利 :CN119980474A ,2025-05-13

[3]

半导体纳米晶图案层的制备方法及其应用 [P].

肖鹏伟 ;

高远 ;

赵婧馨 .

中国专利 :CN120358913A ,2025-07-22

[4]

一种荧光半导体纳米晶防伪纸的制备方法 [P].

陈启杰 ;

王萍 ;

晏永祥 .

中国专利 :CN103669111A ,2014-03-26

[5]

银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料及其制备方法 [P].

杜玲 ;

茅惠兵 ;

王基庆 .

中国专利 :CN103805200A ,2014-05-21

[6]

纳米晶热电半导体材料的非晶晶化制备方法 [P].

唐新峰 ;

宋波 ;

熊聪 ;

刘桃香 ;

张清杰 .

中国专利 :CN1594624A ,2005-03-16

[7]

一种半导体纳米晶的制备方法 [P].

李林松 ;

娄世云 ;

牛金钟 .

中国专利 :CN101311383B ,2008-11-26

[8]

弱限域半导体纳米晶、其制备方法以及应用 [P].

彭笑刚 ;

吕刘林 ;

李烱昭 ;

刘少杰 .

中国专利 :CN115893474B ,2024-10-22

[9]

一种半导体纳米晶/量子点敏化的晶硅材料及其制备方法 [P].

余锡宾 ;

王飞久 ;

杜梦娟 ;

张坤 ;

浦旭鑫 .

中国专利 :CN102184979B ,2011-09-14

[10]

一种半导体纳米晶/量子点敏化的晶硅材料及其制备方法 [P].

余锡宾 ;

王飞久 ;

杜梦娟 ;

张坤 ;

浦旭鑫 .

中国专利 :CN102184978A ,2011-09-14

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