一种半导体纳米晶/量子点敏化的晶硅材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110047486.0

申请日：

2011-02-28

公开(公告)号：

CN102184979B

公开(公告)日：

2011-09-14

发明(设计)人：

余锡宾王飞久杜梦娟张坤浦旭鑫

申请人：

申请人地址：

200234 上海市徐汇区桂林路100号

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L3104 H01L310216 H01L3118

代理机构：

上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227

代理人：

张美娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101127319026 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2011100474860 申请日:20110228
2011-09-14	公开	公开
2017-04-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101713758218 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利号:ZL2011100474860 申请日:20110228 授权公告日:20130501 终止日期:20160228
2013-05-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体纳米晶/量子点敏化的晶硅材料及其制备方法 [P].

余锡宾 ;

王飞久 ;

杜梦娟 ;

张坤 ;

浦旭鑫 .

中国专利 :CN102184978A ,2011-09-14

[2]

银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料及其制备方法 [P].

杜玲 ;

茅惠兵 ;

王基庆 .

中国专利 :CN103805200A ,2014-05-21

[3]

一种纳米晶/量子点敏化晶硅电池片的化学气相沉积制备方法 [P].

余锡宾 ;

浦旭鑫 ;

冯吴亮 ;

夏玉胜 .

中国专利 :CN102694073A ,2012-09-26

[4]

纳米晶/量子点敏化硅基电池片及其制备方法 [P].

余锡宾 ;

贺建强 .

中国专利 :CN102723388A ,2012-10-10

[5]

半导体纳米晶荧光材料的制备方法以及通过所述方法制备的半导体纳米晶荧光材料及其应用 [P].

李良 ;

张庆刚 .

中国专利 :CN110734758A ,2020-01-31

[6]

非晶半导体量子点的金属诱导纳米晶化 [P].

V·达尔·辛格 ;

C·卡西迪 ;

M·I·索万 .

中国专利 :CN105051864B ,2015-11-11

[7]

半导体纳米晶群及其制备方法 [P].

彭笑刚 ;

曹煦 ;

李炯昭 .

中国专利 :CN119980474A ,2025-05-13

[8]

一种半导体纳米晶敏化太阳能电池及其制备方法 [P].

林红 ;

申何萍 ;

焦星剑 .

中国专利 :CN103021668B ,2013-04-03

[9]

一种半导体纳米晶的制备方法 [P].

李林松 ;

娄世云 ;

牛金钟 .

中国专利 :CN101311383B ,2008-11-26

[10]

一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法 [P].

李林松 ;

申怀彬 .

中国专利 :CN101275077A ,2008-10-01

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