纳米晶热电半导体材料的非晶晶化制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410013394.0

申请日：

2004-06-29

公开(公告)号：

CN1594624A

公开(公告)日：

2005-03-16

发明(设计)人：

唐新峰宋波熊聪刘桃香张清杰

申请人：

申请人地址：

430070湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

IPC主分类号：

C22C1200

IPC分类号：

C22C1907 C22C104

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人：

李延瑾

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-07	授权	授权
2005-03-16	公开	公开
2014-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584486113 IPC(主分类):C22C 12/00 专利号:ZL2004100133940 申请日:20040629 授权公告日:20080507 终止日期:20130629
2005-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

钛钴锑基热电半导体材料的制备方法 [P].

唐新峰 ;

谢文杰 ;

张清杰 .

中国专利 :CN1876283A ,2006-12-13

[2]

一种基于电磁冶金制备热电半导体材料的方法 [P].

吕国强 ;

华俊森 ;

常彦峰 ;

马文会 ;

张瑞丰 ;

李绍元 ;

雷云 .

中国专利 :CN114790577A ,2022-07-26

[3]

半导体纳米材料的制备方法 [P].

丘洁龙 .

中国专利 :CN113122263A ,2021-07-16

[4]

热电半导体材料及其制造方法 [P].

太田稔智 ;

吉泽广喜 ;

藤田浩一 ;

今井功 ;

东松刚 ;

西池氏裕 .

中国专利 :CN1816919B ,2006-08-09

[5]

一种铋碲系纳米多孔热电材料的制备方法 [P].

徐桂英 ;

张艳华 ;

韩菲 .

中国专利 :CN101656292A ,2010-02-24

[6]

半导体纳米晶荧光材料的制备方法以及通过所述方法制备的半导体纳米晶荧光材料及其应用 [P].

李良 ;

张庆刚 .

中国专利 :CN110734758A ,2020-01-31

[7]

非晶半导体量子点的金属诱导纳米晶化 [P].

V·达尔·辛格 ;

C·卡西迪 ;

M·I·索万 .

中国专利 :CN105051864B ,2015-11-11

[8]

一种合金热电半导体材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

李娟 .

中国专利 :CN107799646A ,2018-03-13

[9]

半导体纳米晶群及其制备方法 [P].

彭笑刚 ;

曹煦 ;

李炯昭 .

中国专利 :CN119980474A ,2025-05-13

[10]

一种CdTe半导体纳米晶制备方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN105565283A ,2016-05-11

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