一种薄膜太阳能电池及p型半导体和p型半导体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210512859.1

申请日：

2012-12-05

公开(公告)号：

CN103035757B

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

高平奇孔英王宽冒黄艳红云骁健

申请人：

申请人地址：

071051 河北省保定市高新区鲁岗路199号

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L310376 H01L31075 H01L31076 H01L3120

代理机构：

保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121

代理人：

杨玉清

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	公开	公开
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452517810 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2012105128591 申请日:20121205
2016-04-13	授权	授权
2022-11-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20121205 授权公告日:20160413 终止日期:20211205
2021-12-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/0352 登记生效日:20211123 变更事项:专利权人变更前权利人:保定风帆光伏能源有限公司变更后权利人:风帆有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:071051 河北省保定市高新区鲁岗路199号变更后权利人:071057 河北省保定市竞秀区富昌路8号

共 50 条

[1]

一种薄膜太阳能电池及制成它的p型半导体 [P].

高平奇 ;

孔英 ;

王宽冒 ;

黄艳红 ;

云骁健 .

中国专利 :CN202977439U ,2013-06-05

[2]

用于无机薄膜太阳能电池的p型半导体层的制备方法 [P].

金镇赫 ;

李秉勋 ;

贾比材 ;

李栋敏 ;

张浚成 ;

曹恩爱 .

中国专利 :CN114068737A ,2022-02-18

[3]

用于无机薄膜太阳能电池的p型半导体层的制备方法 [P].

金镇赫 ;

李秉勋 ;

贾比材 ;

李栋敏 ;

张浚成 ;

曹恩爱 .

韩国专利 :CN114068737B ,2024-02-13

[4]

一种具有超晶格P型半导体层的硅薄膜太阳能电池 [P].

杨燕智 ;

简永杰 .

中国专利 :CN101552302A ,2009-10-07

[5]

一种非晶硅电池使用的p型半导体 [P].

高平奇 ;

孔英 ;

王宽冒 ;

黄艳红 ;

云骁健 .

中国专利 :CN202977440U ,2013-06-05

[6]

薄膜太阳能电池、半导体薄膜、及半导体形成用涂布液 [P].

堀木麻由美 ;

伊藤和志 ;

早川明伸 ;

小原峻士 .

中国专利 :CN105556694A ,2016-05-04

[7]

一种含P型半导体电极的太阳能电池及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN105552141A ,2016-05-04

[8]

半导体薄膜太阳能电池的制造系统和方法 [P].

林朝晖 ;

李晓常 .

中国专利 :CN102024870A ,2011-04-20

[9]

一种化合物半导体薄膜太阳能电池制备方法 [P].

张毅 ;

王东潇 ;

高守帅 ;

武莉 .

中国专利 :CN109638096A ,2019-04-16

[10]

有机薄膜太阳能电池半导体薄膜及其形成方法、制造方法 [P].

王式禹 ;

黄炳综 ;

许秀治 ;

蓝钏漫 .

中国专利 :CN101582486A ,2009-11-18

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