一种薄膜太阳能电池及制成它的p型半导体

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220659582.0

申请日：

2012-12-05

公开(公告)号：

CN202977439U

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

高平奇孔英王宽冒黄艳红云骁健

申请人：

申请人地址：

071051 河北省保定市高新区鲁岗路199号

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L310376 H01L310384 H01L31075 H01L31076

代理机构：

保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121

代理人：

杨玉清

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	授权	授权
2016-04-13	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730642434 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利号:ZL2012206595820 申请日:20121205 授权公告日:20130605 放弃生效日:20160413

共 50 条

[1]

一种薄膜太阳能电池及p型半导体和p型半导体的制备方法 [P].

高平奇 ;

孔英 ;

王宽冒 ;

黄艳红 ;

云骁健 .

中国专利 :CN103035757B ,2013-04-10

[2]

用于无机薄膜太阳能电池的p型半导体层的制备方法 [P].

金镇赫 ;

李秉勋 ;

贾比材 ;

李栋敏 ;

张浚成 ;

曹恩爱 .

中国专利 :CN114068737A ,2022-02-18

[3]

用于无机薄膜太阳能电池的p型半导体层的制备方法 [P].

金镇赫 ;

李秉勋 ;

贾比材 ;

李栋敏 ;

张浚成 ;

曹恩爱 .

韩国专利 :CN114068737B ,2024-02-13

[4]

一种具有超晶格P型半导体层的硅薄膜太阳能电池 [P].

杨燕智 ;

简永杰 .

中国专利 :CN101552302A ,2009-10-07

[5]

薄膜太阳能电池、半导体薄膜、及半导体形成用涂布液 [P].

堀木麻由美 ;

伊藤和志 ;

早川明伸 ;

小原峻士 .

中国专利 :CN105556694A ,2016-05-04

[6]

一种薄膜太阳能电池 [P].

顾瑜斌 .

中国专利 :CN201877438U ,2011-06-22

[7]

一种薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池 [P].

任庆荣 ;

王路 ;

郭炜 .

中国专利 :CN104362220A ,2015-02-18

[8]

弱光型薄膜太阳能电池 [P].

李全相 ;

李毅 .

中国专利 :CN202363460U ,2012-08-01

[9]

薄膜太阳能电池 [P].

彭振维 ;

黄昭雄 ;

曹耀中 .

中国专利 :CN103187460A ,2013-07-03

[10]

薄膜太阳能电池 [P].

王巧霞 ;

贾森 .

中国专利 :CN209880630U ,2019-12-31

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