一种具有超晶格P型半导体层的硅薄膜太阳能电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810089517.7

申请日：

2008-04-02

公开(公告)号：

CN101552302A

公开(公告)日：

2009-10-07

发明(设计)人：

杨燕智简永杰

申请人：

申请人地址：

台湾省台南县新市乡南科五路6号3楼

IPC主分类号：

H01L31075

IPC分类号：

H01L310352

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

梁挥;张燕华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-04-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101079710511 IPC(主分类):H01L 31/075 专利申请号:2008100895177 公开日:20091007
2009-10-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池 [P].

简永杰 ;

杨茹媛 ;

张育绮 ;

田伟辰 .

中国专利 :CN201185192Y ,2009-01-21

[2]

一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺 [P].

简永杰 ;

杨茹媛 ;

张育绮 .

中国专利 :CN101567403A ,2009-10-28

[3]

一种硅薄膜太阳能电池 [P].

简永杰 ;

杨茹媛 ;

张育绮 ;

田伟辰 .

中国专利 :CN101499496A ,2009-08-05

[4]

硅薄膜太阳能电池 [P].

彭文博 ;

刘大为 ;

高虎 .

中国专利 :CN105720118B ,2016-06-29

[5]

一种薄膜太阳能电池及p型半导体和p型半导体的制备方法 [P].

高平奇 ;

孔英 ;

王宽冒 ;

黄艳红 ;

云骁健 .

中国专利 :CN103035757B ,2013-04-10

[6]

异形硅薄膜太阳能电池 [P].

李毅 ;

李全相 .

中国专利 :CN100464434C ,2006-11-29

[7]

一种具有多能阶的硅基薄膜太阳能电池 [P].

简永杰 ;

杨茹媛 ;

张育绮 ;

田伟辰 .

中国专利 :CN101499497A ,2009-08-05

[8]

用于无机薄膜太阳能电池的p型半导体层的制备方法 [P].

金镇赫 ;

李秉勋 ;

贾比材 ;

李栋敏 ;

张浚成 ;

曹恩爱 .

中国专利 :CN114068737A ,2022-02-18

[9]

用于无机薄膜太阳能电池的p型半导体层的制备方法 [P].

金镇赫 ;

李秉勋 ;

贾比材 ;

李栋敏 ;

张浚成 ;

曹恩爱 .

韩国专利 :CN114068737B ,2024-02-13

[10]

一种异形硅薄膜太阳能电池 [P].

李全相 ;

李毅 .

中国专利 :CN200950441Y ,2007-09-19

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