一种化合物半导体薄膜太阳能电池制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811331966.8

申请日：

2018-11-09

公开(公告)号：

CN109638096A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

张毅王东潇高守帅武莉

申请人：

申请人地址：

300350 天津市津南区海河教育园区南开大学

IPC主分类号：

H01L310445

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京得信知识产权代理有限公司 11511

代理人：

孟海娟

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/0445 申请公布日:20190416
2019-04-16	公开	公开
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0445 申请日:20181109

共 50 条

[1]

一种薄膜太阳能电池制备方法 [P].

张毅 ;

王东潇 ;

姜振武 ;

陈江涛 ;

高守帅 ;

吴建宇 ;

武莉 ;

敖建平 ;

孙云 .

中国专利 :CN109671803A ,2019-04-23

[2]

化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法 [P].

张毅闻 ;

山田明 .

中国专利 :CN103443929A ,2013-12-11

[3]

生产化合物半导体和薄膜太阳能电池的方法 [P].

S.约斯特 ;

R.莱希纳 ;

T.达利博尔 ;

P.埃雷尔兹 .

中国专利 :CN104885191A ,2015-09-02

[4]

化合物薄膜太阳能电池及其制备方法 [P].

唐江 ;

周英 ;

冷美英 ;

刘新胜 ;

韩珺 ;

罗苗 .

中国专利 :CN104659123A ,2015-05-27

[5]

铜锌锡硫化合物半导体薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

褚君浩 ;

江锦春 ;

石富文 .

中国专利 :CN101452969A ,2009-06-10

[6]

制备五元化合物半导体CZTSSe的方法和薄膜太阳能电池 [P].

S.约斯特 ;

J.帕尔姆 .

中国专利 :CN103403851A ,2013-11-20

[7]

一种多元化合物薄膜太阳能电池及其制备方法 [P].

彭东阳 .

中国专利 :CN105742388A ,2016-07-06

[8]

化合物薄膜太阳能电池、化合物薄膜太阳能电池的制造方法及化合物薄膜太阳能电池模块 [P].

楠敏明 ;

佐川雅一 ;

小松正明 .

中国专利 :CN102110722A ,2011-06-29

[9]

多结化合物半导体太阳能电池 [P].

佐佐木和明 ;

安居院高明 .

中国专利 :CN102782864A ,2012-11-14

[10]

一种化合物半导体太阳能电池 [P].

宋明辉 ;

林桂江 ;

丁杰 ;

刘建庆 .

中国专利 :CN102881736A ,2013-01-16

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