化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180063037.3

申请日：

2011-12-26

公开(公告)号：

CN103443929A

公开(公告)日：

2013-12-11

发明(设计)人：

张毅闻山田明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L31032

IPC分类号：

H01L310352 H01L310749

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈建全

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101562723101 IPC(主分类):H01L 31/032 专利申请号:2011800630373 申请日:20111226
2017-10-24	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L 31/032 放弃生效日:20171024
2013-12-11	公开	公开

共 50 条

[1]

生产化合物半导体和薄膜太阳能电池的方法 [P].

S.约斯特 ;

R.莱希纳 ;

T.达利博尔 ;

P.埃雷尔兹 .

中国专利 :CN104885191A ,2015-09-02

[2]

化合物薄膜太阳能电池、化合物薄膜太阳能电池的制造方法及化合物薄膜太阳能电池模块 [P].

楠敏明 ;

佐川雅一 ;

小松正明 .

中国专利 :CN102110722A ,2011-06-29

[3]

一种化合物半导体薄膜太阳能电池制备方法 [P].

张毅 ;

王东潇 ;

高守帅 ;

武莉 .

中国专利 :CN109638096A ,2019-04-16

[4]

化合物薄膜太阳能电池及其制造方法 [P].

中川直之 ;

樱田新哉 ;

西田靖孝 ;

伊藤聪 ;

稻叶道彦 .

中国专利 :CN102484164B ,2012-05-30

[5]

溅射靶、化合物半导体薄膜、具有化合物半导体薄膜的太阳能电池以及化合物半导体薄膜的制造方法 [P].

生泽正克 ;

高见英生 ;

田村友哉 .

中国专利 :CN102712996B ,2012-10-03

[6]

化合物薄膜太阳能电池及其制备方法 [P].

唐江 ;

周英 ;

冷美英 ;

刘新胜 ;

韩珺 ;

罗苗 .

中国专利 :CN104659123A ,2015-05-27

[7]

多结化合物半导体太阳能电池 [P].

佐佐木和明 ;

安居院高明 .

中国专利 :CN102782864A ,2012-11-14

[8]

化合物半导体薄膜的制作方法及具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池 [P].

张毅闻 ;

山田明 ;

和田隆博 .

中国专利 :CN104350611B ,2015-02-11

[9]

铜锌锡硫化合物半导体薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

褚君浩 ;

江锦春 ;

石富文 .

中国专利 :CN101452969A ,2009-06-10

[10]

制备五元化合物半导体CZTSSe的方法和薄膜太阳能电池 [P].

S.约斯特 ;

J.帕尔姆 .

中国专利 :CN103403851A ,2013-11-20

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