化合物半导体薄膜的制作方法及具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380028495.2

申请日：

2013-05-28

公开(公告)号：

CN104350611B

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

张毅闻山田明和田隆博

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L31032 H01L310352

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

白丽;陈建全

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-05	授权	授权
2015-02-11	公开	公开
2018-06-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20130528 授权公告日:20161005 终止日期:20170528
2015-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601522345 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2013800284952 申请日:20130528

共 50 条

[1]

化合物半导体薄膜制作用油墨、使用该油墨获得的化合物半导体薄膜、具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池及该太阳能电池的制造方法 [P].

张毅闻 ;

山田明 .

中国专利 :CN103069572A ,2013-04-24

[2]

溅射靶、化合物半导体薄膜、具有化合物半导体薄膜的太阳能电池以及化合物半导体薄膜的制造方法 [P].

生泽正克 ;

高见英生 ;

田村友哉 .

中国专利 :CN102712996B ,2012-10-03

[3]

化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法 [P].

张毅闻 ;

山田明 .

中国专利 :CN103443929A ,2013-12-11

[4]

生产化合物半导体和薄膜太阳能电池的方法 [P].

S.约斯特 ;

R.莱希纳 ;

T.达利博尔 ;

P.埃雷尔兹 .

中国专利 :CN104885191A ,2015-09-02

[5]

多结化合物半导体太阳能电池 [P].

佐佐木和明 ;

安居院高明 .

中国专利 :CN102782864A ,2012-11-14

[6]

化合物半导体层的制作方法及使用该半导体层的太阳能电池及其制作方法 [P].

黄素梅 ;

孙卓 ;

黄士勇 ;

朱红兵 ;

李晓冬 ;

陈奕卫 .

中国专利 :CN1885566A ,2006-12-27

[7]

一种化合物半导体薄膜太阳能电池制备方法 [P].

张毅 ;

王东潇 ;

高守帅 ;

武莉 .

中国专利 :CN109638096A ,2019-04-16

[8]

有机半导体化合物、半导体器件、太阳能电池及有机半导体化合物的制造方法 [P].

西郷和彦 ;

小林由佳 .

中国专利 :CN102007112A ,2011-04-06

[9]

化合物薄膜太阳能电池、化合物薄膜太阳能电池的制造方法及化合物薄膜太阳能电池模块 [P].

楠敏明 ;

佐川雅一 ;

小松正明 .

中国专利 :CN102110722A ,2011-06-29

[10]

制备五元化合物半导体CZTSSe的方法和薄膜太阳能电池 [P].

S.约斯特 ;

J.帕尔姆 .

中国专利 :CN103403851A ,2013-11-20

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