含有金属或半导体纳米晶的玻璃及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010232422.3

申请日：

2010-07-21

公开(公告)号：

CN101891391A

公开(公告)日：

2010-11-24

发明(设计)人：

林耿骆芳芳邱建荣赵全忠俆至展

申请人：

申请人地址：

201800 上海市800-211邮政信箱

IPC主分类号：

C03C1002

IPC分类号：

C03C1014 C03B3202

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：

张泽纯

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101435132769 IPC(主分类):C03C 10/02 专利申请号:2010102324223 公开日:20101124
2011-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101029378907 IPC(主分类):C03C 10/02 专利申请号:2010102324223 申请日:20100721
2010-11-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体纳米晶群及其制备方法 [P].

彭笑刚 ;

曹煦 ;

李炯昭 .

中国专利 :CN119980474A ,2025-05-13

[2]

飞秒激光在玻璃中诱导析出金属或半导体纳米晶的方法 [P].

林耿 ;

骆芳芳 ;

邱建荣 ;

赵全忠 ;

俆至展 .

中国专利 :CN101891377A ,2010-11-24

[3]

半导体纳米晶图案层的制备方法及其应用 [P].

肖鹏伟 ;

高远 ;

赵婧馨 .

中国专利 :CN120358913A ,2025-07-22

[4]

一种碲半导体微纳米晶及制备方法 [P].

王舜 ;

金辉乐 ;

赵岳五 .

中国专利 :CN102530890B ,2012-07-04

[5]

固溶体碲化锡铅半导体纳米晶及其制备方法 [P].

谭国龙 ;

宋小阳 .

中国专利 :CN108439352A ,2018-08-24

[6]

一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法 [P].

李林松 ;

申怀彬 .

中国专利 :CN101275077A ,2008-10-01

[7]

一种半导体纳米晶的制备方法 [P].

李林松 ;

娄世云 ;

牛金钟 .

中国专利 :CN101311383B ,2008-11-26

[8]

半导体纳米晶荧光材料的制备方法以及通过所述方法制备的半导体纳米晶荧光材料及其应用 [P].

李良 ;

张庆刚 .

中国专利 :CN110734758A ,2020-01-31

[9]

一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法 [P].

吴庆生 ;

刘金库 ;

丁亚平 .

中国专利 :CN1522953A ,2004-08-25

[10]

发光半导体纳米晶组合物及其制备方法及应用 [P].

周健海 .

中国专利 :CN120737846A ,2025-10-03

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