一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610903249.2

申请日：

2016-10-18

公开(公告)号：

CN106649137B

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

杨艺刘虹兰海洋王耀辉

申请人：

申请人地址：

100094 北京市海淀区翠湖南环路13号院7号楼7层701室

IPC主分类号：

G06F1206

IPC分类号：

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

逯长明;许伟群

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G06F 12/06 变更事项:专利权人变更前:凌云光技术集团有限责任公司变更后:凌云光技术股份有限公司变更事项:地址变更前:100094 北京市海淀区翠湖南环路13号院7号楼7层701室变更后:100094 北京市海淀区翠湖南环路13号院7号楼7层701室
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724592732 IPC(主分类):G06F 12/06 专利申请号:2016109032492 申请日:20161018
2020-04-21	授权	授权
2017-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种NAND FLASH坏块管理方法 [P].

程金 ;

贾宁 ;

周波岐 .

中国专利 :CN104317733A ,2015-01-28

[2]

NAND Flash存储器的坏块管理方法和系统 [P].

夏超仁 ;

李康养 .

中国专利 :CN110795044A ,2020-02-14

[3]

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法 [P].

向跃 ;

张令 ;

刘建华 .

中国专利 :CN112711501A ,2021-04-27

[4]

存储器坏块管理方法、装置及闪速存储器 [P].

高爽 ;

宋来亮 .

中国专利 :CN109144423B ,2019-01-04

[5]

一种Nand Flash坏块管理方法 [P].

姚舜 ;

孟祥军 ;

高彦斌 ;

李伟硕 .

中国专利 :CN105740163A ,2016-07-06

[6]

NAND存储器及其坏块标记方法 [P].

井冲 .

中国专利 :CN109273043A ,2019-01-25

[7]

一种nand flash坏块管理方法及系统 [P].

袁结全 ;

吴灿 ;

陈世伟 ;

詹晋川 ;

罗仁昌 .

中国专利 :CN114546292A ,2022-05-27

[8]

一种NAND Flash坏块管理方法及系统 [P].

濮建福 ;

沈霞宏 ;

朱浩文 ;

李世建 ;

罗唤霖 ;

白郁 .

中国专利 :CN106776359B ,2017-05-31

[9]

闪速存储器的坏块管理方法 [P].

唐红飞 .

中国专利 :CN102722443A ,2012-10-10

[10]

一种NAND Flash存储器和存储器中坏块的处理方法 [P].

胡洪 ;

刘会娟 ;

钱建琴 .

中国专利 :CN105786719A ,2016-07-20

← 1 2 3 4 5 →