采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011609553.9
申请日
2020-12-30
公开(公告)号
CN112711501A
公开(公告)日
2021-04-27
发明(设计)人
向跃 张令 刘建华
申请人
申请人地址
310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园创新大厦A座5-6层
IPC主分类号
G06F1120
IPC分类号
G06F1206
代理机构
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240
代理人
朱亚冠
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
NAND Flash存储器的坏块管理方法和系统 [P]. 
夏超仁 ;
李康养 .
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[2]
一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器 [P]. 
杨艺 ;
刘虹 ;
兰海洋 ;
王耀辉 .
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[3]
NAND存储器及其坏块标记方法 [P]. 
井冲 .
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[4]
一种NAND Flash存储器和存储器中坏块的处理方法 [P]. 
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刘会娟 ;
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[5]
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[6]
一种NAND FLASH坏块管理方法 [P]. 
程金 ;
贾宁 ;
周波岐 .
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[7]
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[8]
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[9]
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张龙 ;
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刘焕雨 ;
杨斌 ;
吕伟 ;
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刘梦瑶 .
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[10]
存储器的坏块管理方法、控制方法及存储器系统 [P]. 
赵伟一 .
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