Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

被引：0

申请号：

CN202210074358.3

申请日：

2022-01-21

公开(公告)号：

CN114415961A

公开(公告)日：

2022-04-29

发明(设计)人：

段程浩

申请人：

申请人地址：

519055 广东省珠海市金湾区平沙镇升平大道888号02栋、06栋、08栋

IPC主分类号：

G06F306

IPC分类号：

G06F1114

代理机构：

北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444

代理人：

钱娴静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	公开	公开
2022-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 3/06 申请日:20220121

共 50 条

[1]

一种NAND Flash存储器和存储器中坏块的处理方法 [P].

胡洪 ;

刘会娟 ;

钱建琴 .

中国专利 :CN105786719A ,2016-07-20

[2]

Flash存储器测试方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

李佳城 ;

张计悦 ;

梁云雷 ;

苏衍宇 .

中国专利 :CN119479761A ,2025-02-18

[3]

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质 [P].

陈斯煜 ;

罗挺 ;

吴大畏 ;

李晓强 .

中国专利 :CN113223583A ,2021-08-06

[4]

用于坏块处理的方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

黄永卫 ;

邓邱伟 ;

李莉 ;

翟建光 ;

李峰悦 .

中国专利 :CN115525217A ,2022-12-27

[5]

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质 [P].

陈斯煜 ;

罗挺 ;

吴大畏 ;

李晓强 .

中国专利 :CN113223583B ,2024-05-17

[6]

用于坏块处理的方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

黄永卫 ;

邓邱伟 ;

李莉 ;

翟建光 ;

李峰悦 .

中国专利 :CN115525217B ,2025-08-05

[7]

FLASH存储器的数据保护方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

邓玉良 ;

殷中云 ;

杨彬 ;

庄伟坚 ;

朱晓锐 .

中国专利 :CN113707206B ,2024-03-22

[8]

存储器处理方法、存储器处理装置、电子设备及存储介质 [P].

郭新新 ;

王斌 .

中国专利 :CN118170321A ,2024-06-11

[9]

FLASH存储器的数据保护方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

邓玉良 ;

殷中云 ;

杨彬 ;

庄伟坚 ;

朱晓锐 .

中国专利 :CN113707206A ,2021-11-26

[10]

Nand Flash存储器的访问方法 [P].

户现锋 .

中国专利 :CN103544124A ,2014-01-29

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