背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810476342.9

申请日：

2018-05-17

公开(公告)号：

CN108470799B

公开(公告)日：

2018-08-31

发明(设计)人：

李吉

申请人：

申请人地址：

201400 上海市奉贤区南桥镇江海经济园区

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L31068

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

唐清凯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20180517
2020-12-08	授权	授权
2018-08-31	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体硅太阳能电池的背钝化方法及晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

廖辉 ;

梁杭伟 ;

祁嘉铭 ;

叶雄新 ;

孙小菩 ;

彭华 ;

罗静 .

中国专利 :CN103746039A ,2014-04-23

[2]

一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池 [P].

石强 ;

韩玮智 ;

牛新伟 .

中国专利 :CN102881776A ,2013-01-16

[3]

晶体硅太阳能电池钝化层、制备方法及其在晶体硅太阳能电池中的应用 [P].

张旭宁 ;

赵梓琦 ;

陈剑辉 ;

李文恒 .

中国专利 :CN119730478A ,2025-03-28

[4]

双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

殷涵玉 ;

王登志 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN102683492B ,2012-09-19

[5]

处理薄晶体硅片和晶体硅太阳能电池的方法 [P].

A·恩德罗斯 ;

K·-H·艾森里思 ;

G·马丁奈利 .

中国专利 :CN1149760A ,1997-05-14

[6]

晶体硅太阳能电池及其钝化方法 [P].

李广 .

中国专利 :CN102169924A ,2011-08-31

[7]

晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池 [P].

杨浩成 ;

洪剑波 ;

田得雨 ;

王永谦 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113161448A ,2021-07-23

[8]

晶体硅太阳能电池的钝化方法 [P].

邓伟伟 ;

冯志强 .

中国专利 :CN102364696A ,2012-02-29

[9]

背面钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

蔡二辉 ;

刘伟 ;

余涛 ;

陈筑 ;

刘晓巍 .

中国专利 :CN102969398A ,2013-03-13

[10]

晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

肖青平 .

中国专利 :CN101931022A ,2010-12-29

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