晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110291184.1

申请日：

2021-03-18

公开(公告)号：

CN113161448A

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

杨浩成洪剑波田得雨王永谦陈刚

申请人：

申请人地址：

322009 浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310216 H01L31068

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

胡枫;李素兰

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-23	公开	公开
2021-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20210318

共 50 条

[1]

晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池 [P].

习冬勇 ;

福井健次 ;

应小卡 ;

夏吉东 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113224179A ,2021-08-06

[2]

晶体硅太阳能电池及其钝化方法 [P].

李广 .

中国专利 :CN102169924A ,2011-08-31

[3]

晶体硅太阳能电池钝化层、制备方法及其在晶体硅太阳能电池中的应用 [P].

张旭宁 ;

赵梓琦 ;

陈剑辉 ;

李文恒 .

中国专利 :CN119730478A ,2025-03-28

[4]

晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法 [P].

冯雪 ;

蒋晔 ;

陈颖 ;

付浩然 ;

张柏诚 ;

刘兰兰 ;

王志建 ;

邰艳龙 ;

彭祖军 .

中国专利 :CN110896117B ,2020-03-20

[5]

晶体硅太阳能电池钝化膜 [P].

吴国强 .

中国专利 :CN201655813U ,2010-11-24

[6]

体钝化的晶体硅太阳能电池及其体钝化方法 [P].

陈奕峰 ;

崔艳峰 ;

王子港 ;

丁志强 ;

顾卫龙 ;

张荣 ;

冯志强 ;

皮尔·雅各·威灵顿 .

中国专利 :CN104600137B ,2015-05-06

[7]

晶体硅太阳能电池的背钝化方法及晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

廖辉 ;

梁杭伟 ;

祁嘉铭 ;

叶雄新 ;

孙小菩 ;

彭华 ;

罗静 .

中国专利 :CN103746039A ,2014-04-23

[8]

晶体硅太阳能电池的钝化方法 [P].

邓伟伟 ;

冯志强 .

中国专利 :CN102364696A ,2012-02-29

[9]

晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法 [P].

冯雪 ;

蒋晔 ;

陈颖 ;

付浩然 ;

张柏诚 ;

刘兰兰 ;

王志建 ;

邰艳龙 ;

彭祖军 .

中国专利 :CN110890443B ,2020-03-17

[10]

一种晶体硅太阳能电池及其钝化方法 [P].

董经兵 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN101499502A ,2009-08-05

← 1 2 3 4 5 →