晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811049971.X

申请日：

2018-09-10

公开(公告)号：

CN110890443B

公开(公告)日：

2020-03-17

发明(设计)人：

冯雪蒋晔陈颖付浩然张柏诚刘兰兰王志建邰艳龙彭祖军

申请人：

申请人地址：

314006 浙江省嘉兴市南湖区浙江清华长三角研究院B座15层

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L21225 H01L31068

代理机构：

杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250

代理人：

李丽华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20180910
2020-03-17	公开	公开
2023-01-31	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法 [P].

冯雪 ;

蒋晔 ;

陈颖 ;

付浩然 ;

张柏诚 ;

刘兰兰 ;

王志建 ;

邰艳龙 ;

彭祖军 .

中国专利 :CN110896117B ,2020-03-20

[2]

晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法、电池、组件 [P].

冯雪 ;

蒋晔 ;

陈颖 ;

付浩然 ;

张柏诚 ;

刘兰兰 ;

王志建 ;

邰艳龙 ;

彭祖军 .

中国专利 :CN110896116B ,2020-03-20

[3]

晶体硅太阳能电池及其扩散方法 [P].

梁杭伟 ;

李家兰 ;

叶雄新 ;

孙小菩 ;

彭华 .

中国专利 :CN105070787A ,2015-11-18

[4]

晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池 [P].

杨浩成 ;

洪剑波 ;

田得雨 ;

王永谦 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113161448A ,2021-07-23

[5]

晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池 [P].

习冬勇 ;

福井健次 ;

应小卡 ;

夏吉东 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113224179A ,2021-08-06

[6]

晶体硅太阳能电池扩散炉 [P].

焦云峰 ;

黄强 ;

张军 ;

陈亮 ;

盛键 .

中国专利 :CN201408773Y ,2010-02-17

[7]

晶体硅太阳能电池及其制备方法 [P].

黄麟 .

中国专利 :CN101924144A ,2010-12-22

[8]

晶体硅太阳能电池钝化层、制备方法及其在晶体硅太阳能电池中的应用 [P].

张旭宁 ;

赵梓琦 ;

陈剑辉 ;

李文恒 .

中国专利 :CN119730478A ,2025-03-28

[9]

晶体硅太阳能电池及其制备方法 [P].

陶科 ;

贾锐 ;

姜帅 ;

孙恒超 ;

周颖 ;

包建辉 .

中国专利 :CN108336154A ,2018-07-27

[10]

晶体硅太阳能电池及其制备方法 [P].

黄晓清 ;

刘娟 ;

赵杰 ;

陈如龙 .

中国专利 :CN119317218A ,2025-01-14

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