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碳化硅单晶生长装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201921085193.X
申请日
:
2019-07-11
公开(公告)号
:
CN210856410U
公开(公告)日
:
2020-06-26
发明(设计)人
:
徐良
蓝文安
占俊杰
阳明益
刘建哲
余雅俊
申请人
:
申请人地址
:
321000 浙江省金华市南二环西路2688号
IPC主分类号
:
C30B2936
IPC分类号
:
C30B2300
代理机构
:
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人
:
董李欣
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-06-26
授权
授权
共 50 条
[1]
碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法
[P].
徐良
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徐良
;
蓝文安
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蓝文安
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占俊杰
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占俊杰
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阳明益
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阳明益
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刘建哲
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刘建哲
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余雅俊
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余雅俊
.
中国专利
:CN110331437B
,2019-10-15
[2]
碳化硅单晶生长装置
[P].
徐良
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徐良
;
蓝文安
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蓝文安
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占俊杰
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占俊杰
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阳明益
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阳明益
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刘建哲
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刘建哲
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余雅俊
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余雅俊
.
中国专利
:CN210856411U
,2020-06-26
[3]
碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法
[P].
徐良
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徐良
;
蓝文安
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蓝文安
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占俊杰
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占俊杰
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阳明益
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阳明益
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刘建哲
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刘建哲
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余雅俊
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余雅俊
.
中国专利
:CN110359087B
,2019-10-22
[4]
碳化硅单晶生长装置
[P].
伍艳
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
伍艳
;
周亮亮
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
周亮亮
;
叶磊
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
叶磊
;
王震威
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湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王震威
;
高玉强
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
高玉强
.
中国专利
:CN222594075U
,2025-03-11
[5]
碳化硅单晶生长装置
[P].
裴悠松
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裴悠松
;
徐洙莹
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徐洙莹
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李钟海
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李钟海
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中国专利
:CN112126975A
,2020-12-25
[6]
碳化硅单晶生长装置
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裴悠松
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裴悠松
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徐洙莹
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徐洙莹
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李钟海
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李钟海
.
中国专利
:CN213538159U
,2021-06-25
[7]
碳化硅单晶生长坩埚
[P].
王旻峰
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王旻峰
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张洁
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张洁
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汪良
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汪良
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付芬
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付芬
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邓树军
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邓树军
.
中国专利
:CN214572368U
,2021-11-02
[8]
碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶生长方法
[P].
王海涛
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江苏集芯先进材料有限公司
江苏集芯先进材料有限公司
王海涛
;
乔帅帅
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机构:
江苏集芯先进材料有限公司
江苏集芯先进材料有限公司
乔帅帅
.
中国专利
:CN120384329A
,2025-07-29
[9]
碳化硅单晶生长装置
[P].
崔殿鹏
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崔殿鹏
.
中国专利
:CN111748843B
,2020-10-09
[10]
碳化硅单晶生长装置
[P].
付芬
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付芬
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张洁
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张洁
;
王旻峰
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王旻峰
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邓树军
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邓树军
;
汪良
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汪良
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中国专利
:CN215163307U
,2021-12-14
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