一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法

被引：0

申请号：

CN202210227495.6

申请日：

2022-03-08

公开(公告)号：

CN114540943A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

谢雪健胡国杰徐现刚彭燕胡小波陈秀芳王兴龙

申请人：

申请人地址：

250014 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936 C30B3302

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司 37221

代理人：

张晓鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/00 申请日:20220308
2022-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC单晶生长装置和SiC单晶的生长方法 [P].

金田一麟平 ;

奥野好成 ;

庄内智博 .

中国专利 :CN110408988A ,2019-11-05

[2]

SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法 [P].

胡章贵 ;

王佳楠 .

中国专利 :CN113322510A ,2021-08-31

[3]

一种半绝缘SiC单晶生长装置及生长方法 [P].

陈秀芳 ;

张宁 ;

杨祥龙 ;

谢雪健 ;

胡小波 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN121023628A ,2025-11-28

[4]

单晶生长方法及生长装置 [P].

冈本勉 ;

田附幸一 ;

久保田重夫 .

中国专利 :CN1227287A ,1999-09-01

[5]

单晶生长设备及单晶生长方法 [P].

郭鸿震 .

中国专利 :CN114606564A ,2022-06-10

[6]

单晶生长方法及单晶生长装置 [P].

阿部孝夫 ;

山田透 .

中国专利 :CN1265030C ,2003-03-26

[7]

单晶生长设备及生长方法 [P].

赵言 ;

张楠 ;

沈伟民 ;

黄瀚艺 .

中国专利 :CN112144106A ,2020-12-29

[8]

一种单晶生长装置及单晶生长方法 [P].

李辉 ;

郑彧 ;

童亚琦 ;

王震 .

中国专利 :CN119411212A ,2025-02-11

[9]

一种低碳包裹物密度SiC单晶的生长装置及生长方法 [P].

杨昆 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 ;

刘新辉 ;

张福生 .

中国专利 :CN110129880A ,2019-08-16

[10]

单晶生长方法及装置 [P].

潘浩 .

中国专利 :CN117626429A ,2024-03-01

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