SiC单晶生长装置和SiC单晶的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910328169.2

申请日：

2019-04-23

公开(公告)号：

CN110408988A

公开(公告)日：

2019-11-05

发明(设计)人：

金田一麟平奥野好成庄内智博

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2512 C30B2936

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

刘航;段承恩

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	授权	授权
2019-11-05	公开	公开
2019-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/02 申请日:20190423

共 50 条

[1]

SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法 [P].

胡章贵 ;

王佳楠 .

中国专利 :CN113322510A ,2021-08-31

[2]

坩埚和SiC单晶生长装置 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN110408996A ,2019-11-05

[3]

SiC单晶生长用坩埚、SiC单晶的制造方法及SiC单晶制造装置 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN111424311B ,2020-07-17

[4]

一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法 [P].

谢雪健 ;

胡国杰 ;

徐现刚 ;

彭燕 ;

胡小波 ;

陈秀芳 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN114540943A ,2022-05-27

[5]

一种半绝缘SiC单晶生长装置及生长方法 [P].

陈秀芳 ;

张宁 ;

杨祥龙 ;

谢雪健 ;

胡小波 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN121023628A ,2025-11-28

[6]

SiC单晶生长用坩埚 [P].

野口骏介 ;

大矢信之 .

中国专利 :CN109715868A ,2019-05-03

[7]

SiC单晶的升华生长 [P].

阿维纳什·K·古普塔 ;

伊利娅·茨维巴克 ;

爱德华·西门纳斯 ;

瓦拉塔拉詹·伦加拉詹 ;

马库斯·L·盖特金 .

中国专利 :CN102596804A ,2012-07-18

[8]

一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法 [P].

胡小波 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

彭燕 ;

杨祥龙 .

中国专利 :CN109943887A ,2019-06-28

[9]

一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法 [P].

胡小波 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

彭燕 ;

杨祥龙 .

中国专利 :CN108588817A ,2018-09-28

[10]

SiC单晶生长炉的清理方法 [P].

谷本阳祐 ;

栗原秀行 .

中国专利 :CN108541278A ,2018-09-14

← 1 2 3 4 5 →