一种改性PZT压电陶瓷材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711158556.3

申请日：

2017-11-20

公开(公告)号：

CN107721419A

公开(公告)日：

2018-02-23

发明(设计)人：

黄秋兰

申请人：

申请人地址：

528000 广东省佛山市禅城区张槎一路117号二座自编2号楼六层6147

IPC主分类号：

C04B35493

IPC分类号：

C04B35622 C04B35638 C04B4188

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-23	公开	公开
2021-01-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B 35/493 申请公布日:20180223
2018-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/493 申请日:20171120

共 50 条

[1]

一种改性PZT压电陶瓷材料的制备方法 [P].

黄秋兰 .

中国专利 :CN107857588A ,2018-03-30

[2]

改性PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

徐锦生 .

中国专利 :CN104129992A ,2014-11-05

[3]

一种PZT压电陶瓷材料的制备工艺 [P].

李益民 ;

何哲宇 ;

谢其煜 ;

廖秋平 ;

穆连彬 ;

李云 .

中国专利 :CN114736017A ,2022-07-12

[4]

改性PZT基高温压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

曹建新 ;

张煜 ;

杨林 ;

李庆利 .

中国专利 :CN101224978A ,2008-07-23

[5]

压电陶瓷材料 [P].

高濑雅纪 ;

大林和重 .

中国专利 :CN1255358C ,2002-11-27

[6]

基于晶粒结构优化的高性能PZT压电陶瓷材料及制备方法 [P].

杨成韬 ;

陈魁 ;

石悦 .

中国专利 :CN117383935A ,2024-01-12

[7]

一种Sm离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

沈培锋 ;

王妍 ;

陈挺 ;

钱森 ;

陈川 ;

李勇 ;

张泽 ;

汤德宝 ;

何天雨 ;

鞠玲 ;

姚建光 ;

翁蓓蓓 ;

程阳 ;

陆子渊 ;

李双伟 ;

贾骏 ;

吴艳 ;

袁乐 .

中国专利 :CN116655377B ,2024-12-06

[8]

一种压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

徐锦生 .

中国专利 :CN101767995A ,2010-07-07

[9]

高居里温度的PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

孙兆海 ;

马涛 .

中国专利 :CN104291817A ,2015-01-21

[10]

一种PMN-PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

方美玲 ;

刘建平 ;

曾雄 .

中国专利 :CN118851757A ,2024-10-29

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