一种热压烧结高致密度氧化镁靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110295547.5

申请日：

2011-09-30

公开(公告)号：

CN103030380A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

韩绍娟许壮志薛健张明张翠敏吴学坤

申请人：

申请人地址：

110400 辽宁省沈阳市法库经济开发区

IPC主分类号：

C04B3501

IPC分类号：

C04B35645

代理机构：

沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229

代理人：

甄玉荃

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101721635041 IPC(主分类):C04B 35/01 专利申请号:2011102955475 申请公布日:20130410
2013-04-10	公开	公开
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101501525784 IPC(主分类):C04B 35/01 专利申请号:2011102955475 申请日:20110930

共 50 条

[1]

高致密度氧化镁靶材的制造方法 [P].

吴学坤 ;

韩绍娟 ;

许壮志 ;

薛健 ;

张明 ;

肖飞 .

中国专利 :CN102086504A ,2011-06-08

[2]

一种高纯度高致密度氧化镁靶材制备方法 [P].

刘洪福 ;

杨建新 ;

许博亮 ;

王浩 .

中国专利 :CN120965280A ,2025-11-18

[3]

一种快速制备高致密度氧化镁纳米陶瓷的方法 [P].

傅正义 ;

刘江昊 ;

王为民 ;

王皓 ;

王玉成 ;

张金咏 .

中国专利 :CN102745977B ,2012-10-24

[4]

一种高致密度氧化镁基陶瓷的制备方法 [P].

罗旭东 ;

郎杰夫 ;

侯庆冬 .

中国专利 :CN110002854A ,2019-07-12

[5]

一种高致密度ITO靶材的烧结方法 [P].

方宏 ;

王政红 ;

武创 .

中国专利 :CN104773998A ,2015-07-15

[6]

一种高致密度AZO靶材的制备方法 [P].

刘苗 ;

孙本双 ;

何季麟 ;

刘洋 ;

王之君 ;

陈杰 ;

曾学云 .

中国专利 :CN120817800A ,2025-10-21

[7]

一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法 [P].

陈淼琴 ;

何金江 ;

丁照崇 ;

贺昕 ;

熊晓东 ;

万小勇 ;

李勇军 ;

雷继锋 .

中国专利 :CN106587940A ,2017-04-26

[8]

一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法 [P].

曹林洪 ;

智顺华 ;

王宁会 .

中国专利 :CN101948299B ,2011-01-19

[9]

一种高致密度纳米氧化镁基陶瓷的制备方法 [P].

莫云泽 .

中国专利 :CN108947493A ,2018-12-07

[10]

一种高纯度、高致密度氧化镁陶瓷及其制备方法 [P].

宋春军 ;

秦晓英 ;

辛红星 ;

张建 ;

李地 ;

刘永飞 ;

李亮亮 .

中国专利 :CN103601473A ,2014-02-26

← 1 2 3 4 5 →