一种高致密度ITO靶材的烧结方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510146421.X
申请日
2015-03-31
公开(公告)号
CN104773998A
公开(公告)日
2015-07-15
发明(设计)人
方宏 王政红 武创
申请人
申请人地址
471023 河南省洛阳市洛龙区滨河南路169号
IPC主分类号
C04B3501
IPC分类号
C04B3564
代理机构
洛阳市凯旋专利事务所 41112
代理人
符继超
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法 [P]. 
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[2]
一种高致密低电阻ITO靶材的微波掺杂烧结方法 [P]. 
汪建新 ;
陈迪 ;
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孙红亮 ;
冯波 ;
鲁雄 ;
翁杰 ;
屈树新 ;
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[3]
一种高致密度AZO靶材的制备方法 [P]. 
刘苗 ;
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何季麟 ;
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陈杰 ;
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[4]
一种高致密度AZO靶材的制备方法 [P]. 
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李继文 ;
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贾铁昆 ;
任二洲 ;
卢艳阳 ;
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牛一旭 ;
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[5]
高致密度AZO靶材及其制备方法 [P]. 
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张路长 ;
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孙右文 .
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[6]
一种制备大尺寸高致密度含稀土ITO铝靶材的方法 [P]. 
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[7]
一种热压烧结高致密度氧化镁靶材的制备方法 [P]. 
韩绍娟 ;
许壮志 ;
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张翠敏 ;
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[8]
一种高致密度的银靶材的制备方法 [P]. 
唐安泰 ;
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中国专利 :CN116804268B ,2025-05-30
[9]
一种高致密度PZT靶材及其制备方法 [P]. 
张元松 ;
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[10]
一种两步分段烧结法制备高致密ITO靶材的方法 [P]. 
许亚利 ;
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