负载Ru的In2O3纳米材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010644557.4

申请日：

2020-07-07

公开(公告)号：

CN111735857A

公开(公告)日：

2020-10-02

发明(设计)人：

杨明辉张沈丹曲奉东

申请人：

申请人地址：

312030 浙江省绍兴市柯桥区柯桥经济开发区西环路586号科创大厦B座405-406

IPC主分类号：

G01N2712

IPC分类号：

C01G1500

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240

代理人：

徐锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-02	公开	公开
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/12 申请日:20200707

共 50 条

[1]

Pd修饰的α-Fe2O3纳米材料及其制备方法和应用 [P].

杨明辉 ;

张沈丹 ;

曲奉东 .

中国专利 :CN111766274A ,2020-10-13

[2]

GO/In2O3复合纳米材料及制备与应用 [P].

王素华 ;

马祥云 ;

王祥科 ;

葛宏伟 ;

殷冉皓 ;

余龙 .

中国专利 :CN113686928A ,2021-11-23

[3]

一种Ru-WO3纳米材料及其制备方法和应用 [P].

杨明辉 ;

王晨豪 ;

曲奉东 .

中国专利 :CN111060560B ,2020-04-24

[4]

一种N-GQDs修饰的3DOM In2O3复合材料及其制备方法和应用 [P].

要红昌 ;

吕雅坤 ;

李中军 ;

潘玉平 .

中国专利 :CN110736770B ,2020-01-31

[5]

一种中空结构的In2O3气敏材料及制备方法和应用 [P].

孙广 ;

陶振华 ;

李彦伟 ;

曹建亮 ;

张战营 .

中国专利 :CN110320324A ,2019-10-11

[6]

一种Pr掺杂In2O3纳米气敏材料的制备方法 [P].

宋吉明 ;

马志红 ;

陈京帅 ;

牛和林 ;

毛昌杰 .

中国专利 :CN110398520A ,2019-11-01

[7]

一种CdSnO3纳米材料及其制备方法和应用 [P].

王琳琳 ;

唐凯斌 .

中国专利 :CN103303968B ,2013-09-18

[8]

一种纳米材料及其制备方法和应用 [P].

桂阳海 ;

赵建波 ;

郭智荣 .

中国专利 :CN105668638A ,2016-06-15

[9]

低温原位生长In2O3纳米线的方法 [P].

李社强 ;

梁迎新 ;

聂棱 ;

万青 ;

王岩国 ;

邹炳锁 ;

王太宏 .

中国专利 :CN100503445C ,2007-10-31

[10]

碳基负载型纳米材料及其制备方法和应用 [P].

黄垒 ;

刘懿丹 ;

施利毅 ;

李开元 .

中国专利 :CN117587452A ,2024-02-23

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