低温原位生长In2O3纳米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610031592.9

申请日：

2006-04-29

公开(公告)号：

CN100503445C

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

李社强梁迎新聂棱万青王岩国邹炳锁王太宏

申请人：

申请人地址：

410082湖南省长沙市岳麓山

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

代理机构：

长沙正奇专利事务所有限责任公司

代理人：

马强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-24	授权	授权
2007-10-31	公开	公开
2013-06-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101475722331 IPC(主分类):C01G 15/00 专利号:ZL2006100315929 申请日:20060429 授权公告日:20090624 终止日期:20120429

共 50 条

[1]

In2O3纳米线的制造方法 [P].

程知萱 ;

许鹏程 ;

潘庆谊 ;

董晓雯 .

中国专利 :CN101148266A ,2008-03-26

[2]

基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法 [P].

冯亮 ;

杨卫 ;

关亚风 .

中国专利 :CN104422716A ,2015-03-18

[3]

一种基于非金属矿物电极衬底表面原位生长纳米In2O3的室温NO2传感器及制备方法 [P].

沈岩柏 ;

钟祥熙 ;

张津 ;

高淑玲 ;

魏德洲 ;

张云海 ;

魏可峰 .

中国专利 :CN110261445B ,2019-09-20

[4]

负载Ru的In2O3纳米材料及其制备方法和应用 [P].

杨明辉 ;

张沈丹 ;

曲奉东 .

中国专利 :CN111735857A ,2020-10-02

[5]

GO/In2O3复合纳米材料及制备与应用 [P].

王素华 ;

马祥云 ;

王祥科 ;

葛宏伟 ;

殷冉皓 ;

余龙 .

中国专利 :CN113686928A ,2021-11-23

[6]

一种In2O3/α-Fe2O3纳米线、三乙胺传感器及其制备方法 [P].

张博 ;

包楠 ;

王涛 ;

倪屹 .

中国专利 :CN113125519B ,2021-07-16

[7]

一种Pr掺杂In2O3纳米气敏材料的制备方法 [P].

宋吉明 ;

马志红 ;

陈京帅 ;

牛和林 ;

毛昌杰 .

中国专利 :CN110398520A ,2019-11-01

[8]

纳米线的生长 [P].

奥拉夫·伯莱姆 ;

F·达辛格 ;

S·奎德努 ;

F·鲁斯塔 .

德国专利 :CN117980542A ,2024-05-03

[9]

一种原位生长纳米线的碳纤维界面改性方法 [P].

夏龙 ;

陈传亮 ;

王鑫宇 ;

姜炎君 ;

苗俊僮 ;

陈文吉 ;

王景琦 .

中国专利 :CN118814476A ,2024-10-22

[10]

一种锗镓纳米线及其原位生长方法 [P].

孟祥东 ;

于兆亮 ;

王多 ;

李海波 ;

孙萌 ;

尹默 ;

袁梦 .

中国专利 :CN108315770B ,2018-07-24

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